Datasheet > K4S510832C-KC75

K4S510832C-KC75

更新时间： 2024-11-21 14:51:47

品牌	Logo	应用领域
三星 - SAMSUNG		时钟动态存储器光电二极管内存集成电路
页数	文件大小	规格书
9页	79K
描述
Synchronous DRAM, 64MX8, 5.4ns, CMOS, PDSO54, 0.400 X 0.875 INCH, 0.80 MM PITCH, TSOP2-54

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

K4S510832C-KC75 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TSOP2
包装说明：	TSOP2, TSOP54,.46,32	针数：	54
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.28	风险等级：	5.83
Is Samacsys：	N	访问模式：	FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间：	5.4 ns	其他特性：	AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK)：	133 MHz	I/O 类型：	COMMON
交错的突发长度：	1,2,4,8	JESD-30 代码：	R-PDSO-G54
长度：	22.22 mm	内存密度：	536870912 bit
内存集成电路类型：	SYNCHRONOUS DRAM	内存宽度：	8
功能数量：	1	端口数量：	1
端子数量：	54	字数：	67108864 words
字数代码：	64000000	工作模式：	SYNCHRONOUS
最高工作温度：	70 °C	最低工作温度：
组织：	64MX8	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	TSOP2
封装等效代码：	TSOP54,.46,32	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	电源：	3.3 V
认证状态：	Not Qualified	刷新周期：	8192
座面最大高度：	1.2 mm	自我刷新：	YES
连续突发长度：	1,2,4,8,FP	最大待机电流：	0.004 A
子类别：	DRAMs	最大压摆率：	0.22 mA
最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V	最小供电电压 (Vsup)：	3 V
标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	COMMERCIAL
端子形式：	GULL WING	端子节距：	0.8 mm
端子位置：	DUAL	宽度：	10.16 mm
Base Number Matches：	1

K4S510832C-KC75 数据手册

K4S510832C

CMOS SDRAM

DDP 512Mbit SDRAM

16M x 8bit x 4 Banks

Synchronous DRAM

LVTTL

Revision 0.2

Nov. 2001

Samsung shall not offer for sale or sell either directly or through and third-party proxy, and DRAM memory products that include "Multi-Die

Plastic DRAM" for use as components in general and scientific computers such as, by way of example, mainframes, servers, work stations

or desk top computers for the first three years of five year term of this license. Nothing herein limits the rights of Samsung to use Multi-Die

Plastic DRAM in other products or other applications under paragrangh such as mobile, telecom or non-computer application(which include

by way of example laptop or notebook computers, cell phones, televisions or visual monitors)

Violation may subject the customer to legal claims and also excludes any warranty against infringement from Samsung."

* Samsung Electronics reserves the right to change products or specification without notice.

Rev. 0.2 Nov. 2001

12 3 4 5 6 7...9

中文翻译

下载PDF

与K4S510832C-KC75相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
K4S510832D	SAMSUNG	获取价格	SDRAM Product Guide
K4S510832D-UC75	SAMSUNG	获取价格	Synchronous DRAM, 64MX8, 5.4ns, CMOS, PDSO54, 0.400 X 0.875 INCH, 0.80 MM PITCH, ROHS COMP
K4S510832D-UC750	SAMSUNG	获取价格	Synchronous DRAM, 64MX8, 5.4ns, CMOS, PDSO54, 0.400 X 0.875 INCH, 0.80 MM PITCH, ROHS COMP
K4S510832D-UC75T	SAMSUNG	获取价格	Synchronous DRAM, 64MX8, 5.4ns, CMOS, PDSO54, 0.400 X 0.875 INCH, 0.80 MM PITCH, ROHS COMP
K4S510832D-UCL75	SAMSUNG	获取价格	Synchronous DRAM, 64MX8, 5.4ns, CMOS, PDSO54, 0.400 X 0.875 INCH, 0.80 MM PITCH, ROHS COMP
K4S510832D-UL75	SAMSUNG	获取价格	Synchronous DRAM, 64MX8, 5.4ns, CMOS, PDSO54, 0.400 X 0.875 INCH, 0.80 MM PITCH, ROHS COMP
K4S510832D-UL750	SAMSUNG	获取价格	Synchronous DRAM, 64MX8, 5.4ns, CMOS, PDSO54, 0.400 X 0.875 INCH, 0.80 MM PITCH, ROHS COMP
K4S510832D-UL75T	SAMSUNG	获取价格	Cache DRAM Module, 64MX8, 5.4ns, CMOS, PDSO54, 0.400 X 0.875 INCH, 0.80 MM PITCH, ROHS COM
K4S510832M	SAMSUNG	获取价格	16M x 8bit x 4 Banks Synchronous DRAM LVTTL
K4S510832M-TC/TL1H	SAMSUNG	获取价格	16M x 8bit x 4 Banks Synchronous DRAM LVTTL

与K4S510832C-KC75相关文章

解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
2024-11-18

27
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
2024-11-18

19
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
2024-11-14

49
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
2024-11-14

47

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

K4S510832C-KC75

K4S510832C-KC75 技术参数

K4S510832C-KC75 数据手册

与K4S510832C-KC75相关器件

与K4S510832C-KC75相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

K4S510832C-KC75

K4S510832C-KC75 技术参数

K4S510832C-KC75 数据手册

与K4S510832C-KC75相关器件

与K4S510832C-KC75相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？