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K4S510832B-UC75

更新时间: 2024-09-27 22:17:51
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三星 - SAMSUNG 动态存储器
页数 文件大小 规格书
15页 151K
描述
512Mb B-die SDRAM Specification

K4S510832B-UC75 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Obsolete包装说明:TSOP, TSOP54,.46,32
Reach Compliance Code:compliant风险等级:5.84
最长访问时间:5.4 ns最大时钟频率 (fCLK):133 MHz
I/O 类型:COMMON交错的突发长度:1,2,4,8
JESD-30 代码:R-PDSO-G54JESD-609代码:e6
内存密度:536870912 bit内存集成电路类型:SYNCHRONOUS DRAM
内存宽度:8湿度敏感等级:3
端子数量:54字数:67108864 words
字数代码:64000000最高工作温度:70 °C
最低工作温度:组织:64MX8
输出特性:3-STATE封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:TSOP封装等效代码:TSOP54,.46,32
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
峰值回流温度(摄氏度):260电源:3.3 V
认证状态:Not Qualified刷新周期:8192
连续突发长度:1,2,4,8最大待机电流:0.002 A
子类别:DRAMs最大压摆率:0.1 mA
标称供电电压 (Vsup):3.3 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:COMMERCIAL
端子面层:Tin/Bismuth (Sn/Bi)端子形式:GULL WING
端子节距:0.8 mm端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIEDBase Number Matches:1

K4S510832B-UC75 数据手册

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CMOS SDRAM  
SDRAM 512Mb B-die (x4, x8, x16)  
512Mb B-die SDRAM Specification  
54 TSOP-II with Pb-Free  
(RoHS compliant)  
Revision 1.1  
August 2004  
* Samsung Electronics reserves the right to change products or specification without notice.  
Revision. 1.1 August 2004  

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