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K4M64163PH-BG750

更新时间： 2024-11-11 14:51:47

品牌	Logo	应用领域
三星 - SAMSUNG		动态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
12页	114K
描述
Synchronous DRAM, 4MX16, 6ns, CMOS, PBGA54, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE, FBGA-54

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K4M64163PH-BG750 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	BGA	包装说明：	VFBGA,
针数：	54	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.02
风险等级：	5.84	访问模式：	FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间：	6 ns	其他特性：	AUTO/SELF REFRESH
JESD-30 代码：	S-PBGA-B54	JESD-609代码：	e1
长度：	8 mm	内存密度：	67108864 bit
内存集成电路类型：	SYNCHRONOUS DRAM	内存宽度：	16
功能数量：	1	端口数量：	1
端子数量：	54	字数：	4194304 words
字数代码：	4000000	工作模式：	SYNCHRONOUS
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-25 °C
组织：	4MX16	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	VFBGA	封装形状：	SQUARE
封装形式：	GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	1 mm
自我刷新：	YES	最大供电电压 (Vsup)：	1.95 V
最小供电电压 (Vsup)：	1.7 V	标称供电电压 (Vsup)：	1.8 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	OTHER	端子面层：	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
端子形式：	BALL	端子节距：	0.8 mm
端子位置：	BOTTOM	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
宽度：	8 mm	Base Number Matches：	1

K4M64163PH-BG750 数据手册

K4M64163PH - R(B)G/F

Mobile-SDRAM

1M x 16Bit x 4 Banks Mobile SDRAM in 54FBGA

FEATURES

• 1.8V power supply.

GENERAL DESCRIPTION

The K4M64163PH is 67,108,864 bits synchronous high data

rate Dynamic RAM organized as 4 x 1,048,576 words by 16 bits,

fabricated with SAMSUNG′s high performance CMOS technol-

ogy. Synchronous design allows precise cycle control with the

use of system clock, and I/O transactions are possible on every

clock cycle. Range of operating frequencies, programmable

burst lengths and programmable latencies allow the same

device to be useful for a variety of high bandwidth and high per-

formance memory system applications.

• LVCMOS compatible with multiplexed address.

• Four banks operation.

• MRS cycle with address key programs.

-. CAS latency (1, 2 & 3).

-. Burst length (1, 2, 4, 8 & Full page).

-. Burst type (Sequential & Interleave).

• EMRS cycle with address key programs.

• All inputs are sampled at the positive going edge of the system

clock.

• Burst read single-bit write operation.

• Special Function Support.

-. PASR (Partial Array Self Refresh).

-. Internal TCSR (Temperature Compensated Self Refresh)

-. DS (Driver Strength)

• DQM for masking.

• Auto refresh.

• 64ms refresh period (4K cycle).

• Commercial Temperature Operation (-25°C ~ 70°C).

• Extended Temperature Operation (-25°C ~ 85°C).

• 54Balls FBGA with 0.8mm ball pitch.

( -RXXX : Leaded, -BXXX : Lead Free)

ORDERING INFORMATION

Part No.

Max Freq.

Interface

Package

K4M64163PH-R(B)G/F75

K4M64163PH-R(B)G/F90

K4M64163PH-R(B)G/F1L

133MHz(CL=3), 83MHz(CL=2)

111MHz(CL=3), 83MHz(CL=2)

54 FBGA Leaded

(Lead Free)

LVCMOS

111MHz(CL=3)^*1, 66MHz(CL=2)

- R(B)G : Low Power, Extended Temperature(-25°C ~ 85°C)

- R(B)F : Low Power, Commercial Temperature(-25°C ~ 70°C)

Notes :

1. In case of 40MHz Frequency, CL1 can be supported.

2. Samsung are not designed or manufactured for use in a device or system that is used under circumstance in which human life is potentially at stake.

Please contact to the memory marketing team in samsung electronics when considering the use of a product contained herein for any specific

purpose, such as medical, aerospace, nuclear, military, vehicular or undersea repeater use.

February 2004

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K4M64163PH-RBF90	SAMSUNG	获取价格	1M x 16Bit x 4 Banks Mobile SDRAM in 54CSP
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