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K4H1G0438M-UCA2

更新时间： 2024-11-11 22:47:47

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三星 - SAMSUNG		存储内存集成电路光电二极管动态存储器双倍数据速率时钟
页数	文件大小	规格书
23页	207K
描述
1Gb M-die DDR SDRAM Specification 66 TSOP-II with Pb-Free (RoHS compliant)

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K4H1G0438M-UCA2 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	包装说明：	TSSOP, TSSOP66,.46
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.84
Is Samacsys：	N	最长访问时间：	0.75 ns
最大时钟频率 (fCLK)：	133 MHz	I/O 类型：	COMMON
交错的突发长度：	2,4,8	JESD-30 代码：	R-PDSO-G66
JESD-609代码：	e3	内存密度：	1073741824 bit
内存集成电路类型：	DDR DRAM	内存宽度：	4
湿度敏感等级：	1	端子数量：	66
字数：	268435456 words	字数代码：	256000000
最高工作温度：	70 °C	最低工作温度：
组织：	256MX4	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	TSSOP
封装等效代码：	TSSOP66,.46	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH	峰值回流温度（摄氏度）：	225
电源：	2.5 V	认证状态：	Not Qualified
刷新周期：	8192	连续突发长度：	2,4,8
最大待机电流：	0.006 A	子类别：	DRAMs
最大压摆率：	0.35 mA	标称供电电压 (Vsup)：	2.5 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	COMMERCIAL	端子面层：	MATTE TIN
端子形式：	GULL WING	端子节距：	0.635 mm
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
Base Number Matches：	1

DDR SDRAM 1Gb M-die (x4, x8) Pb-Free

DDR SDRAM

1Gb M-die DDR SDRAM Specification

66 TSOP-II with Pb-Free

(RoHS compliant)

Revision 1.1

October, 2004

Revision 1.1 October, 2004

12 3 4 5 6 7...23

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
K4H1G0438M-UCA20	SAMSUNG	获取价格	DDR DRAM, 256MX4, 0.75ns, CMOS, PDSO66, 0.400 X 0.875 INCH, 0.65 MM PITCH, LEAD FREE, TSOP
K4H1G0438M-UCB0	SAMSUNG	获取价格	1Gb M-die DDR SDRAM Specification 66 TSOP-II with Pb-Free (RoHS compliant)
K4H1G0438M-UCB00	SAMSUNG	获取价格	DDR DRAM, 256MX4, 0.75ns, CMOS, PDSO66, 0.400 X 0.875 INCH, 0.65 MM PITCH, LEAD FREE, TSOP
K4H1G0438M-UCB3	SAMSUNG	获取价格	1Gb M-die DDR SDRAM Specification 66 TSOP-II with Pb-Free (RoHS compliant)
K4H1G0438M-UCB30	SAMSUNG	获取价格	DDR DRAM, 256MX4, 0.7ns, CMOS, PDSO66, 0.400 X 0.875 INCH, 0.65 MM PITCH, LEAD FREE, TSOP2
K4H1G0438M-ULA2	SAMSUNG	获取价格	1Gb M-die DDR SDRAM Specification 66 TSOP-II with Pb-Free (RoHS compliant)
K4H1G0438M-ULA20	SAMSUNG	获取价格	DDR DRAM, 256MX4, 0.75ns, CMOS, PDSO66, 0.400 X 0.875 INCH, 0.65 MM PITCH, LEAD FREE, TSOP
K4H1G0438M-ULB0	SAMSUNG	获取价格	1Gb M-die DDR SDRAM Specification 66 TSOP-II with Pb-Free (RoHS compliant)
K4H1G0438M-ULB3	SAMSUNG	获取价格	1Gb M-die DDR SDRAM Specification 66 TSOP-II with Pb-Free (RoHS compliant)
K4H1G0438M-ULB30	SAMSUNG	获取价格	DDR DRAM, 256MX4, 0.7ns, CMOS, PDSO66, 0.400 X 0.875 INCH, 0.65 MM PITCH, LEAD FREE, TSOP2