Datasheet > K4H1G0638B-UCB0T

K4H1G0638B-UCB0T

更新时间： 2024-09-24 16:08:23

品牌	Logo	应用领域
三星 - SAMSUNG		时钟动态存储器光电二极管内存集成电路
页数	文件大小	规格书
23页	348K
描述
Cache DRAM Module, 256MX4, 0.75ns, CMOS, PDSO64

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

K4H1G0638B-UCB0T 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	包装说明：	SSOP, SSOP66,.46
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.84
最长访问时间：	0.75 ns	最大时钟频率 (fCLK)：	133 MHz
I/O 类型：	COMMON	JESD-30 代码：	R-PDSO-G66
内存密度：	1073741824 bit	内存集成电路类型：	CACHE DRAM MODULE
内存宽度：	4	湿度敏感等级：	3
端子数量：	64	字数：	268435456 words
字数代码：	256000000	最高工作温度：	70 °C
最低工作温度：		组织：	256MX4
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	SSOP	封装等效代码：	SSOP66,.46
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE, SHRINK PITCH
峰值回流温度（摄氏度）：	260	电源：	2.5 V
认证状态：	Not Qualified	刷新周期：	8192
最大待机电流：	0.01 A	子类别：	DRAMs
最大压摆率：	0.39 mA	标称供电电压 (Vsup)：	2.5 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	COMMERCIAL	端子形式：	GULL WING
端子节距：	0.635 mm	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	Base Number Matches：	1

K4H1G0638B-UCB0T 数据手册

DDR SDRAM stacked 1Gb B-die (x4/x8)

DDR SDRAM

Stacked 1Gb B-die DDR SDRAM Specification

(x4/x8)

66 TSOP-II

INFORMATION IN THIS DOCUMENT IS PROVIDED IN RELATION TO SAMSUNG PRODUCTS,

AND IS SUBJECT TO CHANGE WITHOUT NOTICE.

NOTHING IN THIS DOCUMENT SHALL BE CONSTRUED AS GRANTING ANY LICENSE,

EXPRESS OR IMPLIED, BY ESTOPPEL OR OTHERWISE,

TO ANY INTELLECTUAL PROPERTY RIGHTS IN SAMSUNG PRODUCTS OR TECHNOLOGY. ALL

INFORMATION IN THIS DOCUMENT IS PROVIDED

ON AS "AS IS" BASIS WITHOUT GUARANTEE OR WARRANTY OF ANY KIND.

1. For updates or additional information about Samsung products, contact your nearest Samsung office.

2. Samsung products are not intended for use in life support, critical care, medical, safety equipment, or similar

applications where Product failure could result in loss of life or personal or physical harm, or any military or

defense application, or any governmental procurement to which special terms or provisions may apply.

* Samsung Electronics reserves the right to change products or specification without notice.

Rev. 1.5 June. 2005

12 3 4 5 6 7...23

中文翻译

下载PDF

与K4H1G0638B-UCB0T相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
K4H1G0638B-ULA2	SAMSUNG	获取价格	Cache DRAM Module, 256MX4, 0.75ns, CMOS, PDSO64
K4H1G0638B-ULA20	SAMSUNG	获取价格	DDR DRAM Module, 256MX4, 0.75ns, CMOS, PDSO66, 0.400 X 0.875 INCH, 0.65 MM PITCH, ROHS COM
K4H1G0638B-ULA2T	SAMSUNG	获取价格	Cache DRAM Module, 256MX4, 0.75ns, CMOS, PDSO64
K4H1G0638B-ULB0	SAMSUNG	获取价格	Cache DRAM Module, 256MX4, 0.75ns, CMOS, PDSO64
K4H1G0638B-ULB0T	SAMSUNG	获取价格	Cache DRAM Module, 256MX4, 0.75ns, CMOS, PDSO64
K4H1G0638C	SAMSUNG	获取价格	Stacked 1Gb C-die DDR SDRAM Specification
K4H1G0638C-UC/LA2	SAMSUNG	获取价格	Stacked 1Gb C-die DDR SDRAM Specification
K4H1G0638C-UC/LB0	SAMSUNG	获取价格	Stacked 1Gb C-die DDR SDRAM Specification
K4H1G0638C-UCA2	SAMSUNG	获取价格	Cache DRAM Module, 256MX4, 0.75ns, CMOS, PDSO64
K4H1G0638C-UCA20	SAMSUNG	获取价格	DDR DRAM, 256MX4, 0.75ns, CMOS, PDSO66, 0.400 X 0.875 INCH, 0.65 MM PITCH, ROHS COMPLIANT,

与K4H1G0638B-UCB0T相关文章

SK海力士量产12层HBM3E，容量高达36GB
2024-09-27

7
意法半导体传感器驱动Sphere，开启沉浸式电影新时代
2024-09-27

12
摩尔斯微电子在美国约书亚树国家公园测试 Wi-Fi HaLow
2024-09-18

79
贸泽上架Tallysman TW5386智能GNSS天线
2024-09-18

71

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

K4H1G0638B-UCB0T

K4H1G0638B-UCB0T 技术参数

K4H1G0638B-UCB0T 数据手册

与K4H1G0638B-UCB0T相关器件

与K4H1G0638B-UCB0T相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

K4H1G0638B-UCB0T

K4H1G0638B-UCB0T 技术参数

K4H1G0638B-UCB0T 数据手册

与K4H1G0638B-UCB0T相关器件

与K4H1G0638B-UCB0T相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？