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K4H1G0638C-UCB0T

更新时间： 2024-09-24 14:17:43

品牌	Logo	应用领域
三星 - SAMSUNG		时钟动态存储器光电二极管内存集成电路
页数	文件大小	规格书
23页	348K
描述
Cache DRAM Module, 256MX4, 0.75ns, CMOS, PDSO64

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K4H1G0638C-UCB0T 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	包装说明：	SSOP, SSOP66,.46
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.84
最长访问时间：	0.75 ns	最大时钟频率 (fCLK)：	133 MHz
I/O 类型：	COMMON	JESD-30 代码：	R-PDSO-G66
JESD-609代码：	e3	内存密度：	1073741824 bit
内存集成电路类型：	CACHE DRAM MODULE	内存宽度：	4
湿度敏感等级：	1	端子数量：	64
字数：	268435456 words	字数代码：	256000000
最高工作温度：	70 °C	最低工作温度：
组织：	256MX4	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	SSOP
封装等效代码：	SSOP66,.46	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE, SHRINK PITCH	峰值回流温度（摄氏度）：	225
电源：	2.5 V	认证状态：	Not Qualified
刷新周期：	8192	最大待机电流：	0.01 A
子类别：	DRAMs	最大压摆率：	0.37 mA
标称供电电压 (Vsup)：	2.5 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	COMMERCIAL
端子面层：	MATTE TIN	端子形式：	GULL WING
端子节距：	0.635 mm	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	Base Number Matches：	1

K4H1G0638C-UCB0T 数据手册

DDR SDRAM stacked 1Gb C-die (x4/x8)

DDR SDRAM

Stacked 1Gb C-die DDR SDRAM Specification

(x4/x8)

66 TSOP-II with Pb-Free

(RoHS compliant)

INFORMATION IN THIS DOCUMENT IS PROVIDED IN RELATION TO SAMSUNG PRODUCTS,

AND IS SUBJECT TO CHANGE WITHOUT NOTICE.

NOTHING IN THIS DOCUMENT SHALL BE CONSTRUED AS GRANTING ANY LICENSE,

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* Samsung Electronics reserves the right to change products or specification without notice.

Rev. 1.1 June. 2005

12 3 4 5 6 7...23

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
K4H1G0638C-ULA2	SAMSUNG	获取价格	Cache DRAM Module, 256MX4, 0.75ns, CMOS, PDSO64
K4H1G0638C-ULA20	SAMSUNG	获取价格	DDR DRAM, 256MX4, 0.75ns, CMOS, PDSO66, 0.400 X 0.875 INCH, 0.65 MM PITCH, ROHS COMPLIANT,
K4H1G0638C-ULA2T	SAMSUNG	获取价格	Cache DRAM Module, 256MX4, 0.75ns, CMOS, PDSO64
K4H1G0638C-ULB0	SAMSUNG	获取价格	Cache DRAM Module, 256MX4, 0.75ns, CMOS, PDSO64
K4H1G0738B-TLA2	SAMSUNG	获取价格	DDR DRAM, 128MX8, 0.75ns, CMOS, PDSO66, 0.400 X 0.875 INCH, 0.65 MM PITCH, TSOP2-66
K4H1G0738B-TLA20	SAMSUNG	获取价格	DDR DRAM Module, 128MX8, 0.75ns, CMOS, PDSO66, 0.400 X 0.875 INCH, 0.65 MM PITCH, STACKED,
K4H1G0738B-TLA2T	SAMSUNG	获取价格	Cache DRAM Module, 128MX8, 0.75ns, CMOS, PDSO64
K4H1G0738B-UCA2	SAMSUNG	获取价格	Cache DRAM Module, 128MX8, 0.75ns, CMOS, PDSO64
K4H1G0738B-UCA20	SAMSUNG	获取价格	DDR DRAM Module, 128MX8, 0.75ns, CMOS, PDSO66, 0.400 X 0.875 INCH, 0.65 MM PITCH, ROHS COM
K4H1G0738B-UCB00	SAMSUNG	获取价格	DDR DRAM Module, 128MX8, 0.75ns, CMOS, PDSO66, 0.400 X 0.875 INCH, 0.65 MM PITCH, ROHS COM

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