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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | TSOP2 | 包装说明： | TSOP2, |
| 针数： | 66 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8542.32.00.32 |
| 风险等级： | 5.84 | 访问模式： | FOUR BANK PAGE BURST |
| 最长访问时间： | 0.75 ns | 其他特性： | AUTO/SELF REFRESH |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G66 | 长度： | 22.22 mm |
| 内存密度： | 1073741824 bit | 内存集成电路类型： | DDR DRAM |
| 内存宽度： | 4 | 湿度敏感等级： | 2 |
| 功能数量： | 1 | 端口数量： | 1 |
| 端子数量： | 66 | 字数： | 268435456 words |
| 字数代码： | 256000000 | 工作模式： | SYNCHRONOUS |
| 最高工作温度： | 70 °C | 最低工作温度： | |
| 组织： | 256MX4 | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码： | TSOP2 | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE | 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 |
| 认证状态： | Not Qualified | 座面最大高度： | 1.2 mm |
| 自我刷新： | YES | 最大供电电压 (Vsup)： | 2.7 V |
| 最小供电电压 (Vsup)： | 2.3 V | 标称供电电压 (Vsup)： | 2.5 V |
| 表面贴装： | YES | 技术： | CMOS |
| 温度等级： | COMMERCIAL | 端子形式： | GULL WING |
| 端子节距： | 0.65 mm | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 40 | 宽度： | 10.16 mm |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| K4H1G0438M-ULB0 | SAMSUNG |
获取价格 |
1Gb M-die DDR SDRAM Specification 66 TSOP-II with Pb-Free (RoHS compliant) |
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| K4H1G0438M-ULB3 | SAMSUNG |
获取价格 |
1Gb M-die DDR SDRAM Specification 66 TSOP-II with Pb-Free (RoHS compliant) |
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| K4H1G0438M-ULB30 | SAMSUNG |
获取价格 |
DDR DRAM, 256MX4, 0.7ns, CMOS, PDSO66, 0.400 X 0.875 INCH, 0.65 MM PITCH, LEAD FREE, TSOP2 |
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| K4H1G0638B-TCA2 | SAMSUNG |
获取价格 |
DDR DRAM, 256MX4, 0.75ns, CMOS, PDSO66, 0.400 X 0.875 INCH, 0.65 MM PITCH, TSOP2-66 |
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| K4H1G0638B-TCA20 | SAMSUNG |
获取价格 |
DDR DRAM Module, 256MX4, 0.75ns, CMOS, PDSO66, 0.400 X 0.875 INCH, 0.65 MM PITCH, STACKED, |
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| K4H1G0638B-TCA2T | SAMSUNG |
获取价格 |
Cache DRAM Module, 256MX4, 0.75ns, CMOS, PDSO64 |
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| K4H1G0638B-TCB0T | SAMSUNG |
获取价格 |
Cache DRAM Module, 256MX4, 0.75ns, CMOS, PDSO64 |
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| K4H1G0638B-TLA20 | SAMSUNG |
获取价格 |
DDR DRAM Module, 256MX4, 0.75ns, CMOS, PDSO66, 0.400 X 0.875 INCH, 0.65 MM PITCH, STACKED, |
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| K4H1G0638B-TLB0 | SAMSUNG |
获取价格 |
Cache DRAM Module, 256MX4, 0.75ns, CMOS, PDSO64 |
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| K4H1G0638B-TLB0T | SAMSUNG |
获取价格 |
Cache DRAM Module, 256MX4, 0.75ns, CMOS, PDSO64 |
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