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K4H1G0638B-UCA2T

更新时间： 2024-11-12 16:08:23

品牌	Logo	应用领域
三星 - SAMSUNG		时钟动态存储器光电二极管内存集成电路
页数	文件大小	规格书
23页	348K
描述
Cache DRAM Module, 256MX4, 0.75ns, CMOS, PDSO64

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K4H1G0638B-UCA2T 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	包装说明：	SSOP, SSOP66,.46
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.84
最长访问时间：	0.75 ns	最大时钟频率 (fCLK)：	133 MHz
I/O 类型：	COMMON	JESD-30 代码：	R-PDSO-G66
内存密度：	1073741824 bit	内存集成电路类型：	CACHE DRAM MODULE
内存宽度：	4	湿度敏感等级：	3
端子数量：	64	字数：	268435456 words
字数代码：	256000000	最高工作温度：	70 °C
最低工作温度：		组织：	256MX4
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	SSOP	封装等效代码：	SSOP66,.46
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE, SHRINK PITCH
峰值回流温度（摄氏度）：	260	电源：	2.5 V
认证状态：	Not Qualified	刷新周期：	8192
最大待机电流：	0.01 A	子类别：	DRAMs
最大压摆率：	0.39 mA	标称供电电压 (Vsup)：	2.5 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	COMMERCIAL	端子形式：	GULL WING
端子节距：	0.635 mm	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	Base Number Matches：	1

K4H1G0638B-UCA2T 数据手册

DDR SDRAM stacked 1Gb B-die (x4/x8)

DDR SDRAM

Stacked 1Gb B-die DDR SDRAM Specification

(x4/x8)

66 TSOP-II

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NOTHING IN THIS DOCUMENT SHALL BE CONSTRUED AS GRANTING ANY LICENSE,

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* Samsung Electronics reserves the right to change products or specification without notice.

Rev. 1.5 June. 2005

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
K4H1G0638B-UCB0	SAMSUNG	获取价格	Cache DRAM Module, 256MX4, 0.75ns, CMOS, PDSO64
K4H1G0638B-UCB0T	SAMSUNG	获取价格	Cache DRAM Module, 256MX4, 0.75ns, CMOS, PDSO64
K4H1G0638B-ULA2	SAMSUNG	获取价格	Cache DRAM Module, 256MX4, 0.75ns, CMOS, PDSO64
K4H1G0638B-ULA20	SAMSUNG	获取价格	DDR DRAM Module, 256MX4, 0.75ns, CMOS, PDSO66, 0.400 X 0.875 INCH, 0.65 MM PITCH, ROHS COM
K4H1G0638B-ULA2T	SAMSUNG	获取价格	Cache DRAM Module, 256MX4, 0.75ns, CMOS, PDSO64
K4H1G0638B-ULB0	SAMSUNG	获取价格	Cache DRAM Module, 256MX4, 0.75ns, CMOS, PDSO64
K4H1G0638B-ULB0T	SAMSUNG	获取价格	Cache DRAM Module, 256MX4, 0.75ns, CMOS, PDSO64
K4H1G0638C	SAMSUNG	获取价格	Stacked 1Gb C-die DDR SDRAM Specification
K4H1G0638C-UC/LA2	SAMSUNG	获取价格	Stacked 1Gb C-die DDR SDRAM Specification
K4H1G0638C-UC/LB0	SAMSUNG	获取价格	Stacked 1Gb C-die DDR SDRAM Specification

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