5秒后页面跳转
K4C89183AF-ACF5 PDF预览

K4C89183AF-ACF5

更新时间: 2024-09-15 22:13:47
品牌 Logo 应用领域
三星 - SAMSUNG 动态存储器
页数 文件大小 规格书
55页 1469K
描述
288Mb x18 Network-DRAM2 Specification

K4C89183AF-ACF5 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Active
包装说明:BGA, BGA60,6X15,40Reach Compliance Code:compliant
风险等级:5.83最长访问时间:0.6 ns
最大时钟频率 (fCLK):250 MHzI/O 类型:COMMON
交错的突发长度:2,4JESD-30 代码:R-PBGA-B60
JESD-609代码:e0内存密度:301989888 bit
内存集成电路类型:DDR DRAM内存宽度:18
端子数量:60字数:16777216 words
字数代码:16000000最高工作温度:70 °C
最低工作温度:组织:16MX18
输出特性:3-STATE封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:BGA封装等效代码:BGA60,6X15,40
封装形状:RECTANGULAR封装形式:GRID ARRAY
电源:1.8,2.5 V认证状态:Not Qualified
连续突发长度:2,4子类别:DRAMs
最大压摆率:0.4 mA表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:COMMERCIAL
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:BALL
端子节距:1 mm端子位置:BOTTOM
Base Number Matches:1

K4C89183AF-ACF5 数据手册

 浏览型号K4C89183AF-ACF5的Datasheet PDF文件第2页浏览型号K4C89183AF-ACF5的Datasheet PDF文件第3页浏览型号K4C89183AF-ACF5的Datasheet PDF文件第4页浏览型号K4C89183AF-ACF5的Datasheet PDF文件第5页浏览型号K4C89183AF-ACF5的Datasheet PDF文件第6页浏览型号K4C89183AF-ACF5的Datasheet PDF文件第7页 
K4C89183AF  
288Mb x18 Network-DRAM2 Specification  
Version 0.7  
- 1 -  
REV. 0.7 Jan. 2005  

与K4C89183AF-ACF5相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
K4C89183AF-ACF50 SAMSUNG

获取价格

DDR DRAM, 16MX18, 0.6ns, CMOS, PBGA60, 1 MM PITCH, FBGA-60
K4C89183AF-ACF6 SAMSUNG

获取价格

288Mb x18 Network-DRAM2 Specification
K4C89183AF-ACFB SAMSUNG

获取价格

288Mb x18 Network-DRAM2 Specification
K4C89183AF-ACFB0 SAMSUNG

获取价格

DDR DRAM, 16MX18, 0.5ns, CMOS, PBGA60, 1 MM PITCH, FBGA-60
K4C89183AF-AIF5 SAMSUNG

获取价格

288Mb x18 Network-DRAM2 Specification
K4C89183AF-AIF50 SAMSUNG

获取价格

DDR DRAM, 16MX18, 0.6ns, CMOS, PBGA60, 1 MM PITCH, FBGA-60
K4C89183AF-AIF6 SAMSUNG

获取价格

288Mb x18 Network-DRAM2 Specification
K4C89183AF-AIFB SAMSUNG

获取价格

288Mb x18 Network-DRAM2 Specification
K4C89183AF-GCF5 SAMSUNG

获取价格

288Mb x18 Network-DRAM2 Specification
K4C89183AF-GCF50 SAMSUNG

获取价格

DDR DRAM, 16MX18, 0.6ns, CMOS, PBGA60, 1 X 1 MM PITCH, FBGA-60