是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Active |
包装说明: | BGA, BGA60,6X15,40 | Reach Compliance Code: | compliant |
风险等级: | 5.92 | 最长访问时间: | 0.5 ns |
最大时钟频率 (fCLK): | 333 MHz | I/O 类型: | COMMON |
交错的突发长度: | 2,4 | JESD-30 代码: | R-PBGA-B60 |
JESD-609代码: | e0 | 内存密度: | 301989888 bit |
内存集成电路类型: | DDR DRAM | 内存宽度: | 18 |
端子数量: | 60 | 字数: | 16777216 words |
字数代码: | 16000000 | 最高工作温度: | 70 °C |
最低工作温度: | 组织: | 16MX18 | |
输出特性: | 3-STATE | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装代码: | BGA | 封装等效代码: | BGA60,6X15,40 |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | GRID ARRAY |
电源: | 1.8,2.5 V | 认证状态: | Not Qualified |
连续突发长度: | 2,4 | 子类别: | DRAMs |
最大压摆率: | 0.5 mA | 表面贴装: | YES |
技术: | CMOS | 温度等级: | COMMERCIAL |
端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式: | BALL |
端子节距: | 1 mm | 端子位置: | BOTTOM |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
K4C89183AF-ACFB | SAMSUNG |
获取价格 |
288Mb x18 Network-DRAM2 Specification | |
K4C89183AF-ACFB0 | SAMSUNG |
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DDR DRAM, 16MX18, 0.5ns, CMOS, PBGA60, 1 MM PITCH, FBGA-60 | |
K4C89183AF-AIF5 | SAMSUNG |
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288Mb x18 Network-DRAM2 Specification | |
K4C89183AF-AIF50 | SAMSUNG |
获取价格 |
DDR DRAM, 16MX18, 0.6ns, CMOS, PBGA60, 1 MM PITCH, FBGA-60 | |
K4C89183AF-AIF6 | SAMSUNG |
获取价格 |
288Mb x18 Network-DRAM2 Specification | |
K4C89183AF-AIFB | SAMSUNG |
获取价格 |
288Mb x18 Network-DRAM2 Specification | |
K4C89183AF-GCF5 | SAMSUNG |
获取价格 |
288Mb x18 Network-DRAM2 Specification | |
K4C89183AF-GCF50 | SAMSUNG |
获取价格 |
DDR DRAM, 16MX18, 0.6ns, CMOS, PBGA60, 1 X 1 MM PITCH, FBGA-60 | |
K4C89183AF-GCF6 | SAMSUNG |
获取价格 |
288Mb x18 Network-DRAM2 Specification | |
K4C89183AF-GCF60 | SAMSUNG |
获取价格 |
DDR DRAM, 16MX18, 0.5ns, CMOS, PBGA60, 1 X 1 MM PITCH, FBGA-60 |