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JANTXVH2N7268U

更新时间: 2024-02-20 04:59:07
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英飞凌 - INFINEON 脉冲晶体管
页数 文件大小 规格书
27页 1035K
描述
Power Field-Effect Transistor, 34A I(D), 100V, 0.065ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET

JANTXVH2N7268U 技术参数

生命周期:Active包装说明:CHIP CARRIER, R-XBCC-N3
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:3A001.A.1.A
HTS代码:8541.29.00.95风险等级:5.19
其他特性:RADIATION HARDENED雪崩能效等级(Eas):500 mJ
外壳连接:DRAIN配置:SINGLE
最小漏源击穿电压:100 V最大漏极电流 (ID):34 A
最大漏源导通电阻:0.065 ΩFET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码:R-XBCC-N3元件数量:1
端子数量:3工作模式:ENHANCEMENT MODE
封装主体材料:UNSPECIFIED封装形状:RECTANGULAR
封装形式:CHIP CARRIER极性/信道类型:N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM):136 A认证状态:Qualified
参考标准:MIL-19500/603E表面贴装:YES
端子形式:NO LEAD端子位置:BOTTOM
晶体管元件材料:SILICONBase Number Matches:1

JANTXVH2N7268U 数据手册

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MIL-PRF-19500/603J  
Dimensions  
Millimeters  
Min Max  
Symbol  
Inches  
Max  
Min  
.535  
.249  
.035  
.510  
BL  
CH  
.545  
.260  
.045  
.570  
13.59  
6.32  
13.84  
6.60  
LD  
0.89  
1.14  
LL  
12.95  
14.48  
LO  
.150 BSC  
.150 BSC  
.139  
3.81 BSC  
3.81 BSC  
3.53  
LS  
MHD  
MHO  
TL  
.149  
.685  
.800  
.050  
.545  
3.78  
17.40  
20.32  
1.27  
.665  
.790  
.040  
.535  
16.89  
20.07  
1.02  
TT  
TW  
13.59  
13.84  
Term 1  
Term 2  
Term 3  
Drain  
Source  
Gate  
NOTES:  
1. Dimensions are in inches.  
2. Millimeters are given for general information only.  
3. Refer to applicable symbol list.  
4. In accordance with ASME Y14.5M, diameters are equivalent to φx symbology.  
5. All terminals are isolated from case.  
FIGURE 1. Physical dimensions for TO-254AA (2N7268, 2N7269, 2N7270, and 2N7394).  
3
 

与JANTXVH2N7268U相关器件

型号 品牌 描述 获取价格 数据表
JANTXVH2N7269 ETC TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 26A I(D) | TO-254AA

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JANTXVH2N7269U MICROSEMI Power Field-Effect Transistor, 26A I(D), 200V, 0.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta

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JANTXVH2N7270 ETC TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 11A I(D) | TO-254AA

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