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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Active |
| 零件包装代码： | LCC | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-CDSO-N4 |
| 针数： | 4 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.21.00.95 |
| 风险等级： | 5.05 | Is Samacsys： | N |
| 外壳连接： | COLLECTOR | 最大集电极电流 (IC)： | 1 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 350 V | 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 40 | JESD-30 代码： | R-CDSO-N4 |
| JESD-609代码： | e4 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 4 | 最高工作温度： | 200 °C |
| 封装主体材料： | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 |
| 极性/信道类型： | NPN | 最大功率耗散 (Abs)： | 5 W |
| 认证状态： | Qualified | 参考标准： | MIL-19500 |
| 子类别： | Other Transistors | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | Gold (Au) - with Nickel (Ni) barrier | 端子形式： | NO LEAD |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 30 |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 最大关闭时间（toff）： | 10000 ns |
| 最大开启时间（吨）： | 1000 ns | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| JAN2N3439 | MICROSEMI |
类似代替  |
This family of high-frequency, epitaxial planar transistors feature low saturation voltage |
|
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| JANTXV2N3440 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | NPN | 250V V(BR)CEO | 1A I(C) | TO-5 |
|
| JANTXV2N3440L | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | NPN | 250V V(BR)CEO | 1A I(C) | TO-5 |
|
| JANTXV2N3440UA | ETC |
获取价格 |
BJT |
|
| JANTXV2N3442 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | NPN | 140V V(BR)CEO | 10A I(C) | TO-3 |
|
| JANTXV2N3467 | MICROSEMI |
获取价格 |
PNP SILICON SWITCHING TRANSISTOR |
|
| JANTXV2N3467 | RAYTHEON |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 1-Element, PNP, Silicon, TO-39, |
|
| JANTXV2N3467L | MICROSEMI |
获取价格 |
PNP SILICON SWITCHING TRANSISTOR |
|
| JANTXV2N3468 | MICROSEMI |
获取价格 |
PNP SILICON SWITCHING TRANSISTOR |
|
| JANTXV2N3468L | MICROSEMI |
获取价格 |
PNP SILICON SWITCHING TRANSISTOR |
|
| JANTXV2N3485A | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | PNP | 60V V(BR)CEO | 600MA I(C) | TO-46 |
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晶圆厂易主：Coherent公司2000万英镑出售苹果供应链关键资产
Galaxy S25系列或全系搭载骁龙8 Elite
三大厂商12层HBM3E进展迅速
塔塔电子与力积电达成技术转让协议，携手建设印度首座晶圆厂
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