5秒后页面跳转
| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Transferred |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.62 |
| 最大集电极电流 (IC)： | 0.5 A | 配置： | Single |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 100 | JESD-609代码： | e0 |
| 最高工作温度： | 200 °C | 极性/信道类型： | NPN |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 1 W | 认证状态： | Qualified |
| 子类别： | Other Transistors | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| JANTXV2N3500 | MICROSEMI |
获取价格 |
NPN SILICON TRANSISTOR |
|
| JANTXV2N3500 | RAYTHEON |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 1-Element, NPN, Silicon, TO-39, |
|
| JANTXV2N3500L | MICROSEMI |
获取价格 |
NPN SILICON TRANSISTOR |
|
| JANTXV2N3500U4 | MICROSEMI |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.3A I(C), NPN, |
|
| JANTXV2N3501 | MICROSEMI |
获取价格 |
NPN SILICON TRANSISTOR |
|
| JANTXV2N3501L | MICROSEMI |
获取价格 |
NPN SILICON TRANSISTOR |
|
| JANTXV2N3501UB | MICROSEMI |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.3A I(C), 150V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, SURFAC |
|
| JANTXV2N3506 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | NPN | 40V V(BR)CEO | 3A I(C) | TO-5 |
|
| JANTXV2N3506A | ETC |
获取价格 |
BJT |
|
| JANTXV2N3506AL | ETC |
获取价格 |
BJT |
|
晶圆厂易主：Coherent公司2000万英镑出售苹果供应链关键资产
Galaxy S25系列或全系搭载骁龙8 Elite
三大厂商12层HBM3E进展迅速
塔塔电子与力积电达成技术转让协议，携手建设印度首座晶圆厂
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
