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JANTXV2N3501UB

更新时间: 2024-10-01 20:24:27
品牌 Logo 应用领域
美高森美 - MICROSEMI /
页数 文件大小 规格书
7页 593K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.3A I(C), 150V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, SURFACE MOUNT PACKAGE-3

JANTXV2N3501UB 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Active包装说明:SMALL OUTLINE, R-CDSO-N3
针数:3Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.21.00.95
风险等级:5.21Is Samacsys:N
外壳连接:COLLECTOR最大集电极电流 (IC):0.3 A
集电极-发射极最大电压:150 V配置:SINGLE
最小直流电流增益 (hFE):20JESD-30 代码:R-CDSO-N3
JESD-609代码:e0元件数量:1
端子数量:3封装主体材料:CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED极性/信道类型:NPN
认证状态:Qualified参考标准:MIL-19500/366
表面贴装:YES端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:NO LEAD端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICON最大关闭时间(toff):1150 ns
最大开启时间(吨):115 nsBase Number Matches:1

JANTXV2N3501UB 数据手册

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JANTXV2N3501UB 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
JANTX2N3501UB MICROSEMI

完全替代

Small Signal Bipolar Transistor, 0.3A I(C), 150V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, SURFAC
2N3501UB MICROSEMI

完全替代

RADIATION HARDENED

与JANTXV2N3501UB相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
JANTXV2N3506 ETC

获取价格

TRANSISTOR | BJT | NPN | 40V V(BR)CEO | 3A I(C) | TO-5
JANTXV2N3506A ETC

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BJT
JANTXV2N3506AL ETC

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BJT
JANTXV2N3506L ETC

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TRANSISTOR | BJT | NPN | 40V V(BR)CEO | 3A I(C) | TO-5
JANTXV2N3507 ETC

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TRANSISTOR | BJT | NPN | 50V V(BR)CEO | 3A I(C) | TO-5
JANTXV2N3507A ETC

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BJT
JANTXV2N3507AL ETC

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BJT
JANTXV2N3507AU4 MICROSEMI

获取价格

Small Signal Bipolar Transistor, 3A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, HERMETIC
JANTXV2N3507L ETC

获取价格

TRANSISTOR | BJT | NPN | 50V V(BR)CEO | 3A I(C) | TO-5
JANTXV2N3584 MICROSEMI

获取价格

NPN HIGH POWER SILICON TRANSISTOR