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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Active | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-CDSO-N3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.21.00.95 |
| 风险等级： | 5.21 | Is Samacsys： | N |
| 外壳连接： | COLLECTOR | 最大集电极电流 (IC)： | 0.3 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 150 V | 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 20 | JESD-30 代码： | R-CDSO-N3 |
| JESD-609代码： | e0 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 封装主体材料： | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | NPN |
| 认证状态： | Qualified | 参考标准： | MIL-19500/366 |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | NO LEAD | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 最大关闭时间（toff）： | 1150 ns |
| 最大开启时间（吨）： | 115 ns | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| JANTXV2N3501UB | MICROSEMI |
完全替代  |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.3A I(C), 150V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, SURFAC |
|
| JAN2N3501UB | MICROSEMI |
完全替代 |
RADIATION HARDENED NPN SILICON SWITCHING TRANSISTOR |
|
| 2N3501UB | MICROSEMI |
完全替代 |
RADIATION HARDENED |
|
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| JANTX2N3506 | MICROSEMI |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 3A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-205, S |
|
| JANTX2N3506A | ETC |
获取价格 |
BJT |
|
| JANTX2N3506AL | ETC |
获取价格 |
BJT |
|
| JANTX2N3506AU4 | MICROSEMI |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 3A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, HERMETIC |
|
| JANTX2N3506L | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | NPN | 40V V(BR)CEO | 3A I(C) | TO-5 |
|
| JANTX2N3507 | MICROSEMI |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 3A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-205, S |
|
| JANTX2N3507A | ETC |
获取价格 |
BJT |
|
| JANTX2N3507AL | ETC |
获取价格 |
BJT |
|
| JANTX2N3507AU4 | MICROSEMI |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 3A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, HERMETIC |
|
| JANTX2N3507L | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | NPN | 50V V(BR)CEO | 3A I(C) | TO-5 |
|
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