5秒后页面跳转
| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | , | Reach Compliance Code： | compliant |
| 风险等级： | 5.51 | 最大集电极电流 (IC)： | 0.3 A |
| 配置： | Single | 最小直流电流增益 (hFE)： | 40 |
| JESD-609代码： | e0 | 最高工作温度： | 200 °C |
| 极性/信道类型： | NPN | 最大功率耗散 (Abs)： | 1 W |
| 认证状态： | Qualified | 子类别： | Other Transistors |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| JANTXV2N3501 | MICROSEMI |
获取价格 |
NPN SILICON TRANSISTOR |
|
| JANTXV2N3501L | MICROSEMI |
获取价格 |
NPN SILICON TRANSISTOR |
|
| JANTXV2N3501UB | MICROSEMI |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.3A I(C), 150V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, SURFAC |
|
| JANTXV2N3506 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | NPN | 40V V(BR)CEO | 3A I(C) | TO-5 |
|
| JANTXV2N3506A | ETC |
获取价格 |
BJT |
|
| JANTXV2N3506AL | ETC |
获取价格 |
BJT |
|
| JANTXV2N3506L | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | NPN | 40V V(BR)CEO | 3A I(C) | TO-5 |
|
| JANTXV2N3507 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | NPN | 50V V(BR)CEO | 3A I(C) | TO-5 |
|
| JANTXV2N3507A | ETC |
获取价格 |
BJT |
|
| JANTXV2N3507AL | ETC |
获取价格 |
BJT |
|
解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
