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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | BCY |
| 包装说明： | CYLINDRICAL, O-MBCY-W3 | 针数： | 2 |
| Reach Compliance Code： | not_compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.21.00.95 | 风险等级： | 5.19 |
| Is Samacsys： | N | 外壳连接： | COLLECTOR |
| 最大集电极电流 (IC)： | 1 A | 集电极-发射极最大电压： | 350 V |
| 配置： | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 40 |
| JEDEC-95代码： | TO-205AD | JESD-30 代码： | O-MBCY-W3 |
| JESD-609代码： | e0 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 最高工作温度： | 200 °C |
| 封装主体材料： | METAL | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | CYLINDRICAL | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | NPN | 最大功率耗散 (Abs)： | 5 W |
| 认证状态： | Qualified | 参考标准： | MIL-19500 |
| 子类别： | Other Transistors | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | WIRE |
| 端子位置： | BOTTOM | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 15 MHz |
| 最大关闭时间（toff）： | 10000 ns | 最大开启时间（吨）： | 1000 ns |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| JANS2N3439 | MICROSEMI |
完全替代  |
NPN LOW POWER SILICON TRANSISTOR |
|
| JANS2N3439L | MICROSEMI |
类似代替 |
Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 350V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, SIMILAR |
|
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| JANTXV2N3439E3 | MICROSEMI |
获取价格 |
NPN LOW POWER SILICON TRANSISTOR |
|
| JANTXV2N3439E4 | MICROSEMI |
获取价格 |
NPN LOW POWER SILICON TRANSISTOR |
|
| JANTXV2N3439L | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | NPN | 350V V(BR)CEO | 1A I(C) | TO-5 |
|
| JANTXV2N3439UA | MICROSEMI |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 350V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, CERAMIC, |
|
| JANTXV2N3440 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | NPN | 250V V(BR)CEO | 1A I(C) | TO-5 |
|
| JANTXV2N3440L | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | NPN | 250V V(BR)CEO | 1A I(C) | TO-5 |
|
| JANTXV2N3440UA | ETC |
获取价格 |
BJT |
|
| JANTXV2N3442 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | NPN | 140V V(BR)CEO | 10A I(C) | TO-3 |
|
| JANTXV2N3467 | MICROSEMI |
获取价格 |
PNP SILICON SWITCHING TRANSISTOR |
|
| JANTXV2N3467 | RAYTHEON |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 1-Element, PNP, Silicon, TO-39, |
|
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