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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | TO-5 |
| 包装说明： | CYLINDRICAL, O-MBCY-W3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | not_compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.29.00.95 | 风险等级： | 5.1 |
| 外壳连接： | COLLECTOR | 最大集电极电流 (IC)： | 3 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 60 V | 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 15 | JEDEC-95代码： | TO-5 |
| JESD-30 代码： | O-MBCY-W3 | JESD-609代码： | e0 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 最高工作温度： | 200 °C | 封装主体材料： | METAL |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | CYLINDRICAL |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | NPN |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 1 W | 认证状态： | Qualified |
| 参考标准： | MIL-19500/393E | 子类别： | Other Transistors |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | WIRE | 端子位置： | BOTTOM |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 40 MHz |
| 最大关闭时间（toff）： | 1300 ns | 最大开启时间（吨）： | 300 ns |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| JANTXV2N3420S | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | NPN | 60V V(BR)CEO | TO-5 |
|
| JANTXV2N3421 | APITECH |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 3A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-5, SMI |
|
| JANTXV2N3421 | VISHAY |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-5, Metal, 3 P |
|
| JANTXV2N3421S | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | NPN | 80V V(BR)CEO | TO-5 |
|
| JANTXV2N3421U4 | MICROSEMI |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 5A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, HERMETIC |
|
| JANTXV2N3439 | MICROSEMI |
获取价格 |
NPN LOW POWER SILICON TRANSISTOR |
|
| JANTXV2N3439E3 | MICROSEMI |
获取价格 |
NPN LOW POWER SILICON TRANSISTOR |
|
| JANTXV2N3439E4 | MICROSEMI |
获取价格 |
NPN LOW POWER SILICON TRANSISTOR |
|
| JANTXV2N3439L | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | NPN | 350V V(BR)CEO | 1A I(C) | TO-5 |
|
| JANTXV2N3439UA | MICROSEMI |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 350V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, CERAMIC, |
|
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三大厂商12层HBM3E进展迅速
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