是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Active |
零件包装代码: | DO-35 | 包装说明: | O-LALF-W2 |
针数: | 2 | Reach Compliance Code: | not_compliant |
ECCN代码: | EAR99 | HTS代码: | 8541.10.00.50 |
风险等级: | 5.62 | Is Samacsys: | N |
其他特性: | METALLURGICALLY BONDED | 外壳连接: | ISOLATED |
配置: | SINGLE | 二极管元件材料: | SILICON |
二极管类型: | ZENER DIODE | JEDEC-95代码: | DO-204AH |
JESD-30 代码: | O-LALF-W2 | JESD-609代码: | e0 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 2 |
封装主体材料: | GLASS | 封装形状: | ROUND |
封装形式: | LONG FORM | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
极性: | UNIDIRECTIONAL | 最大功率耗散: | 0.48 W |
认证状态: | Qualified | 参考标准: | MIL-19500/117 |
标称参考电压: | 200 V | 表面贴装: | NO |
技术: | ZENER | 端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式: | WIRE | 端子位置: | AXIAL |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 最大电压容差: | 1% |
工作测试电流: | 0.65 mA | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
JANTXV1N992DUR-1 | MICROSEMI |
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Silicon 500 mW Zener Diodes | |
JANTXV1N992UR-1 | MICROSEMI |
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Silicon 500 mW Zener Diodes | |
JANTXV-1RH821A | MICROSEMI |
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Zener Diode, 6.2V V(Z), 4.83%, 0.475W, Silicon, DO-7 | |
JANTXV-1RH823 | MICROSEMI |
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Zener Diode, 6.2V V(Z), 4.83%, 0.475W, Silicon, DO-7 | |
JANTXV-1RH823A | MICROSEMI |
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Zener Diode, 6.2V V(Z), 4.83%, 0.475W, Silicon, DO-7 | |
JANTXV-1RH825 | MICROSEMI |
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Zener Diode, 6.2V V(Z), 4.83%, 0.475W, Silicon, DO-7 | |
JANTXV-1RH825A | MICROSEMI |
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Zener Diode, 6.2V V(Z), 4.83%, 0.475W, Silicon, DO-7 | |
JANTXV-1RH827 | MICROSEMI |
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Zener Diode, 6.2V V(Z), 4.83%, 0.475W, Silicon, DO-7 | |
JANTXV-1RH827A | MICROSEMI |
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Zener Diode, 6.2V V(Z), 4.83%, 0.475W, Silicon, DO-7 | |
JANTXV-1RH829 | MICROSEMI |
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Zener Diode, 6.2V V(Z), 4.83%, 0.475W, Silicon, DO-7 |