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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | O-LALF-W2 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.10.00.50 |
| 风险等级： | 5.68 | Is Samacsys： | N |
| 其他特性： | RADIATION HARDENED | 外壳连接： | ISOLATED |
| 配置： | SINGLE | 二极管元件材料： | SILICON |
| 二极管类型： | ZENER DIODE | JEDEC-95代码： | DO-7 |
| JESD-30 代码： | O-LALF-W2 | JESD-609代码： | e0 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 封装主体材料： | GLASS | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | LONG FORM | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 最大功率耗散： | 0.475 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 参考标准： | MIL-19500/159 | 标称参考电压： | 6.2 V |
| 表面贴装： | NO | 技术： | ZENER |
| 端子面层： | TIN LEAD | 端子形式： | WIRE |
| 端子位置： | AXIAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 电压温度Coeff-Max： | 0.062 mV/ °C | 最大电压容差： | 4.83% |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| JANTXV-1RH829 | MICROSEMI | Zener Diode, 6.2V V(Z), 4.83%, 0.475W, Silicon, DO-7 |
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| JANTXV-1RH829A | MICROSEMI | Zener Diode, 6.2V V(Z), 4.83%, 0.475W, Silicon, DO-7 |
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| JANTXV22GQ100 | INFINEON | Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 30A, 100V V(RRM), Silicon, TO-254AA |
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| JANTXV2M | SEMTECH | Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 200V V(RRM), Silicon, HERMETIC SEALED PACKAGE-2 |
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| JANTXV2N0718A | MICROSEMI | Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-18, |
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| JANTXV2N0918 | RAYTHEON | Small Signal Bipolar Transistor, 1-Element, Silicon, TO-72, |
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