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JANTXV2N1488

更新时间： 2024-01-19 15:08:14

品牌	Logo	应用领域
美高森美 - MICROSEMI		局域网晶体管
页数	文件大小	规格书
2页	26K
描述
Power Bipolar Transistor, 6A I(C), 55V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-204AA, Metal, 2 Pin, TO-33, 2 PIN

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技术参数
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JANTXV2N1488 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TO-3
包装说明：	FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2	针数：	2
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.82	最大集电极电流 (IC)：	6 A
集电极-发射极最大电压：	55 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	15	JEDEC-95代码：	TO-204AA
JESD-30 代码：	O-MBFM-P2	JESD-609代码：	e0
元件数量：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	200 °C	封装主体材料：	METAL
封装形状：	ROUND	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	NPN
认证状态：	Not Qualified	参考标准：	MIL-19500/208
表面贴装：	NO	端子面层：	TIN LEAD
端子形式：	PIN/PEG	端子位置：	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

JANTXV2N1488 数据手册

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TECHNICAL DATA

2N1487 JAN, JTX, JTXV

2N1488 JAN, JTX, JTXV

2N1489 JAN, JTX, JTXV

2N1490 JAN, JTX, JTXV

MIL-PRF

QPL

DEVICES

Processed per MIL-PRF-19500/208

NPN HIGH-POWER SILICON TRANSISTOR

MAXIMUM RATINGS

Ratings

Symbol 2N1487 2N1488 Units

2N1498 2N1490

Collector-Emitter Voltage

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

Vdc

Adc

V_CEO

V_CBO

V_CEX

V_EBO

I_B

100

3.0

6.0

Base Current

Collector Current

Total Power Dissipation @ T_C= 25⁰C ⁽¹⁾

I_C

P_T

Operating & Storage Junction

Temperature Range

T_J_,T

stg

-65 to +200

⁰C

TO-33 (TO-204AA)

THERMAL CHARACTERISTICS

Characteristics

Thermal Resistance, Junction-to-Case

Symbol

Max.

2.33

Unit

⁰C/W

qJC

1) Derate linearly 0.429 W/⁰C for T_C> 25⁰C

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T_C= 25⁰C unless otherwise noted)

Characteristics

OFF CHARACTERISTICS

Collector-Emitter Breakdown Voltage

I_C= 100 mAdc

Symbol

Min.

Max.

Unit

Vdc

2N1487, 2N1489

2N1488, 2N1490

V_(BR)

CEO

Collector-Emitter Breakdown Voltage

100

I_C= 200 mAdc

2N1487, 2N1489

2N1488, 2N1490

V_(BR)

CBO

Collector-Emitter Breakdown Voltage

I_C= 0.5 mAdc, V_EB= 1.5 Vdc

100

2N1487, 2N1489

2N1488, 2N1490

V_(BR)

CEX

Collector-Base Cutoff Current

V_CB= 30 Vdc

Emitter-Base Cutoff Current

V_EB= 10 Vdc

mAdc

I_CBO

I_EBO

6 Lake Street, Lawrence, MA 01841

1-800-446-1158 / (978) 794-1666 / Fax: (978) 689-0803

3/98 REV: B

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与JANTXV2N1488相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
JANTXV2N1613	MICROSEMI	NPN LOW POWER SILICON TRANSISTOR	获取价格
JANTXV2N1613	RAYTHEON	Small Signal Bipolar Transistor, 1-Element, NPN, Silicon, TO-39,	获取价格
JANTXV2N1613L	MICROSEMI	NPN LOW POWER SILICON TRANSISTOR	获取价格
JANTXV2N1714	MICROSEMI	Power Bipolar Transistor, 0.75A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Metal, 3 Pin,	获取价格
JANTXV2N1714S	MICROSEMI	Power Bipolar Transistor, 0.75A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Metal, 3 Pin,	获取价格
JANTXV2N1715	MICROSEMI	Power Bipolar Transistor, 0.75A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Metal, 3 Pin	获取价格