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JANTXV2N2060

更新时间： 2024-02-03 17:59:54

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美高森美 - MICROSEMI		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
2页	56K
描述
UNITIZED DUAL NPN SILICON TRANSISTOR

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JANTXV2N2060 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Active	包装说明：	CYLINDRICAL, O-MBCY-W6
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.21.00.95	风险等级：	5.22
最大集电极电流 (IC)：	0.5 A	集电极-发射极最大电压：	60 V
配置：	SEPARATE, 2 ELEMENTS	最小直流电流增益 (hFE)：	50
JEDEC-95代码：	TO-78	JESD-30 代码：	O-MBCY-W6
JESD-609代码：	e0	元件数量：	2
端子数量：	6	最高工作温度：	200 °C
封装主体材料：	METAL	封装形状：	ROUND
封装形式：	CYLINDRICAL	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	NPN	最大功率耗散 (Abs)：	0.5 W
认证状态：	Qualified	参考标准：	MIL-19500/270
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	NO
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	WIRE
端子位置：	BOTTOM	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

JANTXV2N2060 数据手册

TECHNICAL DATA

UNITIZED DUAL NPN SILICON TRANSISTOR

Qualified per MIL-PRF-19500/ 270

Devices

Qualified Level

JAN

JANTX

JANTXV

2N2060

2N2060L

MAXIMUM RATINGS

Ratings

Collector-Emitter Voltage

Symbol

V_CEO

V_CBO

V_EBO

I_C

2N2060

Unit

Vdc

Collector-Base Voltage

Emitter-Base Voltage

Collector Current

100

Vdc

7.0

Vdc

500

mAdc

One

Both

Section Sections

Total Power Dissipation

@ T_A= +25⁰C ⁽¹⁾

@ T_C= +25⁰C ⁽²⁾

540

1.5

600

2.12

⁰C

P_T

Operating & Storage Junction Temperature Range

-65 to +200

T_J_,T

stg

1) Derate linearly 3.08 mW/⁰C for T_A> 25⁰C for one section, 3.48 mW/⁰C for both sections

TO-78*

2) Derate linearly 8.6 mW/⁰C for T_C> 25⁰C for one section, 12.1 mW/⁰C for both sections

*See appendix A for

package outline

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T_A= +25⁰C unless otherwise noted)

Characteristics

Symbol

Min.

Max.

Unit

OFF CHARACTERISTICS

Collector-Emitter Breakdown Voltage⁽³⁾

R_BE£ 10 W, I_C= 10 mAdc

Collector-Emitter Breakdown Voltage

I_C= 30 mAdc

Vdc

V_(BR)

CER

V_(BR)

CEO

Collector-Base Cutoff Current

V_CB= 100 Vdc

V_CB= 80 Vdc

2.0

mAdc

hAdc

I_CBO

Emitter-Base Cutoff Current

V_EB= 7.0 Vdc

V_EB= 5.0 Vdc

mAdc

hAdc

2.0

I_EBO

6 Lake Street, Lawrence, MA 01841

120101

1-800-446-1158 / (978) 794-1666 / Fax: (978) 689-0803

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