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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | O-LALF-W2 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.10.00.50 |
| 风险等级： | 5.69 | 其他特性： | RADIATION HARDENED |
| 外壳连接： | ISOLATED | 配置： | SINGLE |
| 二极管元件材料： | SILICON | 二极管类型： | ZENER DIODE |
| JEDEC-95代码： | DO-7 | JESD-30 代码： | O-LALF-W2 |
| JESD-609代码： | e0 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 封装主体材料： | GLASS |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | LONG FORM |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 最大功率耗散： | 0.475 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 参考标准： | MIL-19500/159 |
| 标称参考电压： | 6.2 V | 表面贴装： | NO |
| 技术： | ZENER | 端子面层： | TIN LEAD |
| 端子形式： | WIRE | 端子位置： | AXIAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 电压温度Coeff-Max： | 0.031 mV/ °C |
| 最大电压容差： | 4.83% | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| JANTXV-1RH829A | MICROSEMI |
获取价格 |
Zener Diode, 6.2V V(Z), 4.83%, 0.475W, Silicon, DO-7 |
|
| JANTXV22GQ100 | INFINEON |
获取价格 |
Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 30A, 100V V(RRM), Silicon, TO-254AA |
|
| JANTXV2M | SEMTECH |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 200V V(RRM), Silicon, HERMETIC SEALED PACKAGE-2 |
|
| JANTXV2N0718A | MICROSEMI |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-18, |
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| JANTXV2N0918 | RAYTHEON |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 1-Element, Silicon, TO-72, |
|
| JANTXV2N1131L | MICROSEMI |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-5, T |
|
| JANTXV2N1132 | MICROSEMI |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-39, |
|
| JANTXV2N1132L | MICROSEMI |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-5, T |
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| JANTXV2N1302 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | NPN | 300MA I(C) | TO-5 |
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| JANTXV2N1303 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | PNP | 300MA I(C) | TO-5 |
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