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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | S-MSFM-P3 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.10.00.80 | 风险等级： | 5.73 |
| Is Samacsys： | N | 其他特性： | HIGH RELIABILITY |
| 应用： | POWER | 外壳连接： | ISOLATED |
| 配置： | COMMON ANODE, 2 ELEMENTS | 二极管元件材料： | SILICON |
| 二极管类型： | RECTIFIER DIODE | 最大正向电压 (VF)： | 1 V |
| JEDEC-95代码： | TO-254AA | JESD-30 代码： | S-MSFM-P3 |
| 最大非重复峰值正向电流： | 300 A | 元件数量： | 2 |
| 相数： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 最低工作温度： | -65 °C |
| 最大输出电流： | 15 A | 封装主体材料： | METAL |
| 封装形状： | SQUARE | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 认证状态： | Not Qualified | 参考标准： | MIL-19500 |
| 最大重复峰值反向电压： | 45 V | 最大反向电流： | 1000 µA |
| 表面贴装： | NO | 技术： | SCHOTTKY |
| 端子形式： | PIN/PEG | 端子位置： | SINGLE |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| JANTXV1N6661 | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Element, 0.5A, Silicon, DO-35, |
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| JANTXV1N6661US | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Element, 0.5A, Silicon, DO-35, |
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| JANTXV1N6662 | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Element, 0.5A, Silicon, DO-35, |
|
| JANTXV1N6662US | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Element, 0.5A, Silicon, DO-35, |
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| JANTXV1N6663 | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Element, 0.5A, Silicon, DO-35, |
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| JANTXV1N6664R | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1A, 100V V(RRM), |
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| JANTXV1N6665 | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1A, 150V V(RRM), |
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| JANTXV1N6666 | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1A, 200V V(RRM), |
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| JANTXV1N6666R | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1A, 200V V(RRM), |
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| JANTXV1N6672 | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 2 Element, 15A, 300V V(RRM), Silicon, TO-254AA, TO-254, 3 PIN |
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