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JANTXV1N6511 PDF预览

JANTXV1N6511

更新时间： 2024-11-30 15:35:47
品牌 Logo 应用领域
美高森美 - MICROSEMI 局域网光电二极管
页数 文件大小 规格书
1页 20K
描述
Trans Voltage Suppressor Diode, Unidirectional, 7 Element, Silicon, DIP-14

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JANTXV1N6511 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：Active零件包装代码：DIP
包装说明：R-PDIP-T14针数：14
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.50风险等级：5.47
最大击穿电压：75 V配置：SEPARATE, 7 ELEMENTS
二极管元件材料：SILICON二极管类型：TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JESD-30 代码：R-PDIP-T14JESD-609代码：e0
元件数量：7端子数量：14
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：IN-LINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性：UNIDIRECTIONAL最大功率耗散：0.6 W
认证状态：Qualified参考标准：MIL-19500/474E
表面贴装：NO技术：AVALANCHE
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
Base Number Matches：1

JANTXV1N6511 数据手册

  
1N6511  
JANTX, JANTXV  
A Microsemi Company  
580 Pleasant St.  
Watertown, MA 02472  
Phone: 617-924-9280  
Fax: 617-924-1235  
DIODE ARRAY PRODUCT SPECIFICATION  
MONOLITHIC AIR ISOLATED  
DIODE ARRAY  
1
2
3
14  
13  
12  
11  
FEATURES:  
· QUALIFIED PARTS LISTING: MIL-PRF-19500/474  
· Bv > 75V at 5uA  
4
10  
9
5
6
· Ir < 100nA at 40V  
· C < 4.0 pF  
7
8
Absolute Maximum Ratings:  
Symbol  
Parameter  
Limit  
Unit  
VBR(R) *1 *2 Reverse Breakdown Voltage  
75  
Vdc  
.320  
.290  
.310  
.220  
.005  
MIN  
.200  
MAX  
IO  
*1 * 3 Continuous Forward Current  
300  
500  
400  
600  
mAdc  
mAdc  
mW  
.200  
.125  
IFSM  
PT1  
PT2  
Top  
Tstg  
*1  
*4  
*4  
Peak Surge Current (tp= 1/120 s)  
Power Dissipation per Junction @ 25°C  
Power Dissipation per Package @ 25°C  
Operating Junction Temperature Range  
Storage Temperature Range  
.023  
.014  
mW  
.785  
MAX  
.070  
.030  
-65 to +150 °C  
-65 to +200 °C  
.098  
MAX  
.100  
BSC  
NOTE 1: Each Diode  
.060  
.015  
NOTE 2: Pulsed: PW = 100ms max.; duty cycle < 20%  
NOTE 3: Derate at 2.4mA/°C above +25 °C  
NOTE 4: Derate at 4.0mW/°C above +25 °C  
.015  
.008  
O-15  
Electrical Characteristics (Per Diode) @  
25°C unless otherwise specified  
PACKAGE OUTLINE  
Symbol Parameter  
Conditions  
Min  
Max Unit  
Vf1  
IR1  
IR2  
Ct  
tfr  
trr  
Forward Voltage  
Reverse Current  
Reverse Current  
Capacitance (pin to pin)  
Forward Recovery Time  
Reverse Recovery Time  
Forward Voltage Match  
If = 100mAdc *1  
VR = 40 Vdc  
VR = 20 Vdc  
VR = 0 Vdc ; f = 1 MHz  
If = 100mAdc  
If = IR = 10mAdc, irr = 1 mAdc, RL = 100 ohms  
If = 10 mA  
1
Vdc  
0.1 uAdc  
25 nAdc  
4.0 pF  
15  
10  
5
ns  
ns  
mV  
VF5  
NOTE 1: Pulsed: PW = 300us +/- 50us, duty cycle < 2%, 90us after leading edge  
Sertech reserves the right to make changes to any product design, specification or other  
information at any time without prior notice.  
MSC1010.PDF Rev - 11/24/98  
1

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JANTXV1N6511 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
JANTX1N6511 MICROSEMI

类似代替

 Trans Voltage Suppressor Diode, Unidirectional, 7 Element, Silicon, DIP-14
1N6511 MICROSEMI

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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