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JANTXV1N6516US

更新时间： 2024-01-23 00:50:02
品牌 Logo 应用领域
SSDI /
页数 文件大小 规格书
4页 1746K
描述
Rectifier Diode, 1 Element, 0.75A, 4000V V(RRM), Silicon,

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JANTXV1N6516US 技术参数

生命周期：Active包装说明：O-LELF-R2
Reach Compliance Code：unknownHTS代码：8541.10.00.80
风险等级：5.72应用：HIGH VOLTAGE FAST RECOVERY POWER
外壳连接：ISOLATED配置：SINGLE
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码：O-LELF-R2最大非重复峰值正向电流：40 A
元件数量：1相数：1
端子数量：2最大输出电流：0.75 A
封装主体材料：GLASS封装形状：ROUND
封装形式：LONG FORM认证状态：Qualified
参考标准：MIL-19500/575B最大反向恢复时间：0.07 µs
表面贴装：YES端子形式：WRAP AROUND
端子位置：END

JANTXV1N6516US 数据手册

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On May 22, 2013, DLA Land and Maritime ac-  
cepted SSDI’s qualification data for the JANS1N6512  
- JANS1N6519 series of high voltage power rectifiers  
(MIL-PRF-19500/575). JAN, JANTX, JANTXV,  
and JANS versions are currently available direct from  
the factory. Contact SSDI today for more informa-  
tion and to request samples. SSDI looks forward to  
continuing its work with DLA Land and Maritime  
to qualify more of its current product offerings for  
JANS certification, the highest quality level assigned  
by MIL-PRF-19500.  
Axial  
Leaded  
Surface  
Mount  
JAN / JANTX / JANTXV / JANS1N6512 - 1N6519  
Maximum Ratings / Electrical Characteristics  
RθJL2  
C
IFSM  
VF  
RθJL1  
IR  
Part  
VRWM  
IO tRR  
TSTG  
TJ  
RθJEC  
VR = 50V  
F = 1kHz  
O (pF)  
L=.25",  
Oil Bath  
(°C/W)  
tp=8.3 ms  
L=.25", Air  
(°C/W)  
T =+25°C  
@I  
A(µA)  
(VO)  
(V)  
(A)  
(ns)  
(°C)  
(°C)  
(°C/W)  
Number  
(A)  
1N6512, US 1,500  
1N6513, US 2,000  
1N6514, US 2,500  
1N6515, US 3,000  
1N6516, US 4,000  
1N6517, US 5,000  
1N6518, US 7,500  
1N6519, US 10,000  
100  
100  
60  
1.5  
1.5  
1.0  
1.0  
70 -65 to +200 -65 to +175  
70 -65 to +200 -65 to +175  
70 -65 to +200 -65 to +175  
70 -65 to +200 -65 to +175  
16  
16  
16  
16  
16  
16  
16  
16  
12  
12  
12  
12  
12  
12  
12  
12  
4
4
4
4
5
5
5
5
1.0  
1.0  
1.0  
1.0  
1.0  
1.0  
1.0  
1.0  
3.5  
3.5  
25  
25  
20  
20  
16  
16  
8
6.0  
60  
6.0  
40  
0.75 70 -65 to +200 -65 to +175  
0.75 70 -65 to +200 -65 to +175  
8.0  
40  
8.0  
25  
0.5  
0.5  
70 -65 to +200 -65 to +175  
70 -65 to +200 -65 to +175  
13.0  
13.0  
25  
8
FEATURES  
BENEFITS / ADVANTAGES  
High Reverse Voltage: 1,500 - 10,000 Volts  
Void Free Ceramic Frit Construction  
Solid Silver Leads  
ƒ For use in high voltage systems including TWT radar applications  
ƒ Excellent cryogenic performance in liquid-to-liquid shock tests  
ƒ High thermal conductivity  
ƒ High switching efficiency; Lower switching losses  
Ultra fast recovery  
ƒ Hyper fast recovery versions available - contact factory  
JAN, JANTX, JANTXV, & JANS screening available  
ƒ Screened to MIL-PRF-19500  
Contact SSDI for more information and to request samples  
Solid State Devices, Inc. | ISO 9001: 2008 & AS9100:2009 Rev. C | (562) 404-4474 | www.ssdi-power.com  
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与JANTXV1N6516US相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
JANTXV1N6517 SSDI

获取价格

 		0.75 A, 5 kV Ultrafast Recovery High Voltage Rectifier
JANTXV1N6517U VMI

获取价格

 		Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 2A, 5000V V(RRM), Silicon, HERMETIC SEALED PACKAGE-2
JANTXV1N6517US SSDI

获取价格

 		Rectifier Diode, 1 Element, 0.75A, 5000V V(RRM), Silicon,
JANTXV1N6518 VMI

获取价格

 		Rectifier Diode, 1 Element, 0.5A, 7500V V(RRM), Silicon,
JANTXV1N6518 SSDI

获取价格

 		0.5 A, 7.5 kV Ultrafast Recovery High Voltage Rectifier
JANTXV1N6518US SSDI

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 		Rectifier Diode, 1 Element, 0.5A, 7500V V(RRM), Silicon,
JANTXV1N6519 VMI

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 		Rectifier Diode, 1 Element, 0.5A, 10000V V(RRM), Silicon, HERMETIC SEALED PACKAGE-2
JANTXV1N6519 SSDI

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 		0.5 A, 10 kV Ultrafast Recovery High Voltage Rectifier
JANTXV1N6521 VMI

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 		Rectifier Diode, 1 Element, 0.5A, 2000V V(RRM), Silicon, HERMETIC SEALED PACKAGE-2
JANTXV1N6522 VMI

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 		Rectifier Diode, 1 Element, 0.25A, 2500V V(RRM), Silicon,

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