是否无铅: | 含铅 | 是否Rohs认证: | 不符合 |
生命周期: | Not Recommended | 包装说明: | E-LALF-W2 |
Reach Compliance Code: | compliant | ECCN代码: | EAR99 |
风险等级: | 5.32 | Is Samacsys: | N |
外壳连接: | ISOLATED | 配置: | SINGLE |
二极管元件材料: | SILICON | 二极管类型: | RECTIFIER DIODE |
最大正向电压 (VF): | 5 V | JESD-30 代码: | E-LALF-W2 |
JESD-609代码: | e0 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 2 | 最高工作温度: | 175 °C |
最大输出电流: | 0.25 A | 封装主体材料: | GLASS |
封装形状: | ELLIPTICAL | 封装形式: | LONG FORM |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 认证状态: | Qualified |
参考标准: | MIL | 最大重复峰值反向电压: | 2500 V |
子类别: | Rectifier Diodes | 表面贴装: | NO |
端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式: | WIRE |
端子位置: | AXIAL | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
JANTXV1N6523 | VMI |
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Rectifier Diode, 1 Element, 0.2A, 3000V V(RRM), Silicon, HERMETIC SEALED PACKAGE-2 | |
JANTXV1N6524 | VMI |
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Rectifier Diode, 1 Element, 0.15A, 4000V V(RRM), Silicon, | |
JANTXV1N6525 | VMI |
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Rectifier Diode, 1 Element, 0.15A, 5000V V(RRM), Silicon, HERMETIC SEALED PACKAGE-2 | |
JANTXV1N6526 | VMI |
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Rectifier Diode, 1 Element, 0.1A, 7500V V(RRM), Silicon, | |
JANTXV1N6527 | VMI |
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Rectifier Diode, 1 Element, 0.1A, 10000V V(RRM), Silicon, HERMETIC SEALED PACKAGE-2 | |
JANTXV1N6528 | VMI |
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Rectifier Diode, 1 Element, 0.1A, 1500V V(RRM), Silicon, | |
JANTXV1N6529 | VMI |
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Rectifier Diode, 1 Element, 0.25A, 2000V V(RRM), Silicon, HERMETIC SEALED PACKAGE-2 | |
JANTXV1N6530 | VMI |
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Rectifier Diode, 1 Element, 0.1A, 2500V V(RRM), Silicon, | |
JANTXV1N6531 | VMI |
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Rectifier Diode, 1 Element, 0.1A, 3000V V(RRM), Silicon, HERMETIC SEALED PACKAGE-2 | |
JANTXV1N6532 | VMI |
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Rectifier Diode, 1 Element, 0.05A, 4000V V(RRM), Silicon, |