是否无铅: | 含铅 | 是否Rohs认证: | 不符合 |
生命周期: | Active | 包装说明: | O-LALF-W2 |
针数: | 2 | Reach Compliance Code: | compliant |
ECCN代码: | EAR99 | HTS代码: | 8541.10.00.80 |
风险等级: | 5.34 | Is Samacsys: | N |
其他特性: | HIGH RELIABILITY | 外壳连接: | ISOLATED |
配置: | SINGLE | 二极管元件材料: | SILICON |
二极管类型: | RECTIFIER DIODE | JEDEC-95代码: | DO-41 |
JESD-30 代码: | O-LALF-W2 | JESD-609代码: | e0 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 2 |
最高工作温度: | 150 °C | 最低工作温度: | -65 °C |
最大输出电流: | 1 A | 封装主体材料: | GLASS |
封装形状: | ROUND | 封装形式: | LONG FORM |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 认证状态: | Qualified |
参考标准: | MIL-19500 | 最大重复峰值反向电压: | 800 V |
最大反向恢复时间: | 0.06 µs | 表面贴装: | NO |
技术: | AVALANCHE | 端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式: | WIRE | 端子位置: | AXIAL |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
JANTXV1N6623U | MICROSEMI |
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Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1.5A, 800V V(RRM), Silicon, MELF-2 |
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JANTXV1N6623U | SENSITRON |
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DESCRIPTION: 800 VOLT, AMP, 50 NS HERMETIC RECTIFIER IN A MELF-A PACKAGE. |
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JANTXV1N6623US | MICROSEMI |
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Rectifier Diode, Avalanche, 1 Element, 1A, 800V V(RRM), Silicon, HERMETIC SEALED, GLASS, D |
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JANTXV1N6623US | SENSITRON |
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DESCRIPTION: 800 VOLT, AMP, 50 NS HERMETIC RECTIFIER IN A MELF-A PACKAGE. |
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JANTXV1N6624 | MICROSEMI |
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Rectifier Diode, Avalanche, 1 Element, 1A, 900V V(RRM), Silicon, DO-41, HERMETIC SEALED, G |
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JANTXV1N6624 | SENSITRON |
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DESCRIPTION: 900 VOLT, AMP, 50 NS HERMETIC RECTIFIER IN A 106 PACKAGE. |
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JANTXV1N6624U | SENSITRON |
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DESCRIPTION: 900 VOLT, AMP, 50 NS HERMETIC RECTIFIER IN A MELF-A PACKAGE. |
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JANTXV1N6624US | MICROSEMI |
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Rectifier Diode, Avalanche, 1 Element, 1A, 900V V(RRM), Silicon, HERMETIC SEALED, GLASS, D |
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JANTXV1N6624US | SENSITRON |
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DESCRIPTION: 900 VOLT, AMP, 50 NS HERMETIC RECTIFIER IN A MELF-A PACKAGE. |
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JANTXV1N6625 | SENSITRON |
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DESCRIPTION: 1000 VOLT, AMP, 60 NS HERMETIC RECTIFIER IN A 106 PACKAGE. |
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