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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | MELF | 包装说明： | O-LELF-R2 |
| 针数： | 2 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.10.00.80 |
| 风险等级： | 5.23 | 应用： | ULTRA FAST RECOVERY |
| 外壳连接： | ISOLATED | 配置： | SINGLE |
| 二极管元件材料： | SILICON | 二极管类型： | RECTIFIER DIODE |
| 最大正向电压 (VF)： | 1.6 V | JESD-30 代码： | O-LELF-R2 |
| 最大非重复峰值正向电流： | 20 A | 元件数量： | 1 |
| 相数： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 最高工作温度： | 175 °C | 最大输出电流： | 1.5 A |
| 封装主体材料： | GLASS | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | LONG FORM | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 认证状态： | Not Qualified | 参考标准： | MIL |
| 最大重复峰值反向电压： | 800 V | 最大反向恢复时间： | 0.05 µs |
| 子类别： | Rectifier Diodes | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | WRAP AROUND | 端子位置： | END |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| JANTXV1N6623US | MICROSEMI |
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Rectifier Diode, Avalanche, 1 Element, 1A, 800V V(RRM), Silicon, HERMETIC SEALED, GLASS, D |
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| JANTXV1N6623US | SENSITRON |
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DESCRIPTION: 800 VOLT, AMP, 50 NS HERMETIC RECTIFIER IN A MELF-A PACKAGE. |
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| JANTXV1N6624 | MICROSEMI |
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Rectifier Diode, Avalanche, 1 Element, 1A, 900V V(RRM), Silicon, DO-41, HERMETIC SEALED, G |
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| JANTXV1N6624 | SENSITRON |
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DESCRIPTION: 900 VOLT, AMP, 50 NS HERMETIC RECTIFIER IN A 106 PACKAGE. |
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| JANTXV1N6624U | SENSITRON |
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DESCRIPTION: 900 VOLT, AMP, 50 NS HERMETIC RECTIFIER IN A MELF-A PACKAGE. |
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| JANTXV1N6624US | MICROSEMI |
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Rectifier Diode, Avalanche, 1 Element, 1A, 900V V(RRM), Silicon, HERMETIC SEALED, GLASS, D |
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| JANTXV1N6624US | SENSITRON |
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DESCRIPTION: 900 VOLT, AMP, 50 NS HERMETIC RECTIFIER IN A MELF-A PACKAGE. |
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| JANTXV1N6625 | SENSITRON |
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DESCRIPTION: 1000 VOLT, AMP, 60 NS HERMETIC RECTIFIER IN A 106 PACKAGE. |
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| JANTXV1N6625U | SENSITRON |
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Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1.5A, Silicon, HERMETIC SEALED, MELF-A, 2 PIN |
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| JANTXV1N6625U | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1.5A, 1000V V(RRM), Silicon, HERMETIC SEALED, MELF-A, |
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