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Datasheet > 二极管 > 整流二极管> JANTXV1N6621U
JANTXV1N6621U PDF预览

JANTXV1N6621U

更新时间： 2024-12-02 17:33:11
品牌 Logo 应用领域
SENSITRON /
页数 文件大小 规格书
3页 53K
描述
DESCRIPTION: 400 VOLT, AMP, 30 NS HERMETIC RECTIFIER IN A MELF-A PACKAGE.

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JANTXV1N6621U 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：Active零件包装代码：MELF
包装说明：MELF-A, 2 PIN针数：2
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.80风险等级：5.25
应用：ULTRA FAST RECOVERY外壳连接：ISOLATED
配置：SINGLE二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF)：1.4 V
JESD-30 代码：O-LELF-R2JESD-609代码：e0
最大非重复峰值正向电流：20 A元件数量：1
相数：1端子数量：2
最高工作温度：150 °C最大输出电流：1.2 A
封装主体材料：GLASS封装形状：ROUND
封装形式：LONG FORM峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
认证状态：Qualified参考标准：MIL
最大重复峰值反向电压：400 V最大反向恢复时间：0.03 µs
子类别：Rectifier Diodes表面贴装：YES
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：WRAP AROUND
端子位置：END处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
Base Number Matches：1

JANTXV1N6621U 数据手册

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1N6620,U,US thru 1N6625,U,US  
SENSITRON  
SEMICONDUCTOR  
TECHNICAL DATA  
DATA SHEET 5089, REV. A  
SJ  
SX  
SV  
Ultrafast Recovery Rectifier  
• Hermetic, non-cavity glass package  
• Metallurgically bonded  
• Operating and Storage Temperature: -65oC to +175o  
MAX. RATINGS / ELECTRICAL CHARACTERISTICS All ratings are at TA = 25oC unless otherwise specified.  
Rating  
Symbol  
Condition  
Max  
Units  
WORKING PEAK REVERSE VOLTAGE  
1N6620, U, US  
200  
400  
600  
800  
900  
1000  
1N6621, U ,US  
1N6622, U, US  
1N6623, U, US  
1N6624 ,U, US  
VRWM  
Volts  
1N6625, U, US  
AVERAGE RECTIFIED FORWARD CURRENT  
1N6620, U, US thru 1N6622, U, US  
Io  
1.2  
1.0  
Amps  
A(pk)  
1N6623, U, US thru 1N6625, U, US  
PEAK FORWARD SURGE CURRENT  
1N6620, U, US thru 1N6624,U, US  
1N6625, U, US  
IFSM  
Tp=8.3ms  
20  
15  
MAXIMUM REVERSE CURRENT  
1N6620, U, US thru 1N6624,U, US  
1N6625, U, US  
MAXIMUM REVERSE CURRENT  
1N6620, U, US thru 1N6624,U, US  
1N6625, U, US  
IR @ VRWM  
IR @ VRWM  
Tj = 25 oC  
0.5  
1.0  
μAmps  
μAmps  
Tj = 150 oC  
150  
200  
MAX. PEAK FORWARD VOLTAGE (PULSED)  
1N6620, U, US thru 1N6622,U, US  
1N6623,U, US & 1N6624,U, US  
1N6625, U, US  
IF=2.0A  
IF=1.5μA  
IF=1.5μA  
1.60  
1.80  
1.95  
VFM  
Volts  
PEAK RECOVERY CURRENT  
1N6620, U, US thru 1N6622,U, US  
1N6623,U, US & 1N6624,U, US  
1N6625, U, US  
IF=2A,  
100A/μ  
3.5  
4.2  
5.0  
IRM  
A(pk)  
ns  
MAXIMUM REVERSE RECOVERY TIME  
1N6620, U, US thru 1N6622,U, US  
1N6623,U, US & 1N6624,U, US  
1N6625, U, US  
IF=0.5A  
RM =1.0A  
30  
50  
60  
Trr  
I
FORWARD RECOVERY VOLTAGE  
1N6620, U, US thru 1N6622,U, US  
1N6623,U, US & 1N6624,U, US  
1N6625, U, US  
IF=0.5A  
tr=12ns  
12  
18  
30  
VFRM  
Volts  
THERMAL RESISTANCE (Axial)  
1N6620 thru 1N6625  
L=.375  
L=0  
oC/W  
oC/W  
RθJL  
RθJC  
38  
20  
THERMAL RESISTANCE (MELF)  
1N6620U,US thru 1N6625U,US  
• 221 West Industry Court ꢀ Deer Park, NY 11729-4681 ꢀ Phone (631) 586 7600 Fax (631) 242 9798 •  
• World Wide Web Site - http://www.sensitron.com • E-Mail Addre1N - sales@sensitron.com •  
123

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与JANTXV1N6621U相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
JANTXV1N6621US MICROSEMI

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 		Rectifier Diode, Avalanche, 1 Phase, 1 Element, 1.2A, 400V V(RRM), Silicon, HERMETIC SEALE
JANTXV1N6621US SENSITRON

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 		DESCRIPTION: 400 VOLT, AMP, 30 NS HERMETIC RECTIFIER IN A MELF-A PACKAGE.
JANTXV1N6622 MICROSEMI

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 		Rectifier Diode, Avalanche, 1 Phase, 1 Element, 1.2A, 600V V(RRM), Silicon, DO-41, HERMETI
JANTXV1N6622 SENSITRON

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 		DESCRIPTION: 600 VOLT, AMP, 30 NS HERMETIC RECTIFIER IN A 106 PACKAGE.
JANTXV1N6622U SENSITRON

获取价格

 		Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1.2A, 600V V(RRM), Silicon, HERMETIC, MELF-A, 2 PIN
JANTXV1N6622U MICROSEMI

获取价格

 		Rectifier Diode, 1 Phase, 2A, Silicon, MELF-2
JANTXV1N6622US SENSITRON

获取价格

 		Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 2A, 600V V(RRM), Silicon,
JANTXV1N6623 MICROSEMI

获取价格

 		VOIDLESS-HERMETICALLY SEALED ULTRA FAST RECOVERY GLASS RECTIFIERS
JANTXV1N6623 SENSITRON

获取价格

 		DESCRIPTION: 800 VOLT, AMP, 50 NS HERMETIC RECTIFIER IN A 106 PACKAGE.
JANTXV1N6623U MICROSEMI

获取价格

 		Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1.5A, 800V V(RRM), Silicon, MELF-2

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