生命周期: | Active | 包装说明: | E-LALF-W2 |
Reach Compliance Code: | compliant | ECCN代码: | EAR99 |
风险等级: | 5.75 | 外壳连接: | ISOLATED |
配置: | SINGLE | 二极管元件材料: | SILICON |
二极管类型: | RECTIFIER DIODE | JESD-30 代码: | E-LALF-W2 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 2 |
最高工作温度: | 175 °C | 最低工作温度: | -65 °C |
最大输出电流: | 0.75 A | 封装主体材料: | GLASS |
封装形状: | ELLIPTICAL | 封装形式: | LONG FORM |
认证状态: | Not Qualified | 参考标准: | MIL-19500 |
最大重复峰值反向电压: | 4000 V | 最大反向恢复时间: | 0.07 µs |
表面贴装: | NO | 端子形式: | WIRE |
端子位置: | AXIAL | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
JANTXV1N6516US | SSDI |
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Rectifier Diode, 1 Element, 0.75A, 4000V V(RRM), Silicon, | |
JANTXV1N6517 | SSDI |
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0.75 A, 5 kV Ultrafast Recovery High Voltage Rectifier | |
JANTXV1N6517U | VMI |
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Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 2A, 5000V V(RRM), Silicon, HERMETIC SEALED PACKAGE-2 | |
JANTXV1N6517US | SSDI |
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Rectifier Diode, 1 Element, 0.75A, 5000V V(RRM), Silicon, | |
JANTXV1N6518 | VMI |
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Rectifier Diode, 1 Element, 0.5A, 7500V V(RRM), Silicon, | |
JANTXV1N6518 | SSDI |
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0.5 A, 7.5 kV Ultrafast Recovery High Voltage Rectifier | |
JANTXV1N6518US | SSDI |
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Rectifier Diode, 1 Element, 0.5A, 7500V V(RRM), Silicon, | |
JANTXV1N6519 | VMI |
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Rectifier Diode, 1 Element, 0.5A, 10000V V(RRM), Silicon, HERMETIC SEALED PACKAGE-2 | |
JANTXV1N6519 | SSDI |
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0.5 A, 10 kV Ultrafast Recovery High Voltage Rectifier | |
JANTXV1N6521 | VMI |
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Rectifier Diode, 1 Element, 0.5A, 2000V V(RRM), Silicon, HERMETIC SEALED PACKAGE-2 |