1N6511

更新时间： 2024-10-02 22:34:59

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美高森美 - MICROSEMI		瞬态抑制器二极管测试局域网
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描述
MONOLITHIC AIR ISOLATED DIODE ARRAY

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1N6511 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	DIP
包装说明：	R-CDIP-T14	针数：	14
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.50	风险等级：	5.44
Is Samacsys：	N	最小击穿电压：	75 V
配置：	SEPARATE, 7 ELEMENTS	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE	最大正向电压 (VF)：	1 V
JESD-30 代码：	R-CDIP-T14	JESD-609代码：	e0
元件数量：	7	端子数量：	14
最高工作温度：	175 °C	封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	IN-LINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性：	UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散：	0.6 W	认证状态：	Not Qualified
最大重复峰值反向电压：	65 V	最大反向电流：	0.025 µA
最大反向恢复时间：	0.005 µs	反向测试电压：	20 V
子类别：	Other Diodes	表面贴装：	NO
技术：	AVALANCHE	端子面层：	TIN LEAD
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	Base Number Matches：	1

1N6511 数据手册

1N6511

A Microsemi Company

580 Pleasant St.

Watertown, MA 02472

Phone: 617-924-9280

Fax: 617-924-1235

DIODE ARRAY PRODUCT SPECIFICATION

MONOLITHIC AIR ISOLATED

DIODE ARRAY

FEATURES:

· HERMETIC CERAMIC PACKAGE

· Bv > 75V at 5uA

· Ir < 100nA at 40V

· C < 4.0 pF

Absolute Maximum Ratings:

Symbol

Parameter

Limit

Unit

VBR(R) *1 *2 Reverse Breakdown Voltage

Vdc

.320

.290

*1 * 3 Continuous Forward Current

*1 Peak Surge Current (tp= 1/120 s)

*4 Power Dissipation per Junction @ 25°C

300

500

400

600

mAdc

.310

.220

.005

MIN

.200

MAX

.200

.125

IFSM

PT1

PT2

Top

Tstg

.023

.014

Power Dissipation per Package @ 25°C

Operating Junction Temperature Range

Storage Temperature Range

.785

MAX

.070

.030

-65 to +150 °C

-65 to +200 °C

.098

MAX

.100

BSC

NOTE 1: Each Diode

.060

.015

NOTE 2: Pulsed: PW = 100ms max.; duty cycle < 20%

NOTE 3: Derate at 2.4mA/°C above +25 °C

NOTE 4: Derate at 4.0mW/°C above +25 °C

.015

.008

O-15

Electrical Characteristics (Per Diode) @

25°C unless otherwise specified

PACKAGE OUTLINE

Symbol Parameter

Conditions

Min

Max Unit

Vf1

IR1

IR2

tfr

trr

Forward Voltage

Reverse Current

Capacitance (pin to pin)

Forward Recovery Time

Reverse Recovery Time

Forward Voltage Match

If = 100mAdc *1

VR = 40 Vdc

VR = 20 Vdc

VR = 0 Vdc ; f = 1 MHz

If = 100mAdc

If = IR = 10mAdc, irr = 1 mAdc, RL = 100 ohms

If = 10 mA

Vdc

0.1 uAdc

25 nAdc

4.0 pF

VF5

NOTE 1: Pulsed: PW = 300us +/- 50us, duty cycle < 2%, 90us after leading edge

Sertech reserves the right to make changes to any product design, specification or other

information at any time without prior notice.

MSC1022.PDF Rev - 11/25/98

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1N6511 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
JAN1N6511	MICROSEMI	功能相似	Trans Voltage Suppressor Diode, Unidirectional, 7 Element, Silicon, DIP-14
JANTXV1N6511	MICROSEMI	功能相似	Trans Voltage Suppressor Diode, Unidirectional, 7 Element, Silicon, DIP-14
JANTX1N6511	MICROSEMI	功能相似	Trans Voltage Suppressor Diode, Unidirectional, 7 Element, Silicon, DIP-14

与1N6511相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
1N6511_04	MICROSEMI	获取价格	Isolated Diode Array with HiRel MQ, MX, MV, and MSP Screening Options
1N6511E3	MICROSEMI	获取价格	Trans Voltage Suppressor Diode, Unidirectional, 7 Element, Silicon
1N6512	SSDI	获取价格	Rectifier Diode
1N6512	NJSEMI	获取价格	70NS RECOVERY, AXIAL LEADED, HERMETIC
1N6512SMS	SSDI	获取价格	Rectifier Diode
1N6512U	NJSEMI	获取价格	SURFACE MOUNT RECTIFIERS 70NS RECOVERY, HERMETIC, JANTX, JANTXV
1N6512U	VMI	获取价格	Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 5A, 1500V V(RRM), Silicon,
1N6513	NJSEMI	获取价格	70NS RECOVERY, AXIAL LEADED, HERMETIC
1N6513	VMI	获取价格	Spice Model
1N6513	SSDI	获取价格	Rectifier Diode

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