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JANTXV1N6514US

更新时间： 2024-02-05 21:29:27
品牌 Logo 应用领域
SSDI 快速恢复能力电源高压快速恢复二极管高压快速恢复电源
页数 文件大小 规格书
4页 1746K
描述
Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 2500V V(RRM), Silicon,

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JANTXV1N6514US 技术参数

是否无铅：含铅是否Rohs认证：不符合
生命周期：Not Recommended包装说明：O-LELF-R2
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.80风险等级：5.58
Is Samacsys：N应用：HIGH VOLTAGE FAST RECOVERY POWER
外壳连接：ISOLATED配置：SINGLE
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：6 VJESD-30 代码：O-LELF-R2
JESD-609代码：e0最大非重复峰值正向电流：60 A
元件数量：1相数：1
端子数量：2最高工作温度：200 °C
最大输出电流：1 A封装主体材料：GLASS
封装形状：ROUND封装形式：LONG FORM
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED认证状态：Qualified
参考标准：MIL-19500/575B最大重复峰值反向电压：2500 V
最大反向恢复时间：0.07 µs子类别：Rectifier Diodes
表面贴装：YES端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：WRAP AROUND端子位置：END
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIEDBase Number Matches：1

JANTXV1N6514US 数据手册

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On May 22, 2013, DLA Land and Maritime ac-  
cepted SSDI’s qualification data for the JANS1N6512  
- JANS1N6519 series of high voltage power rectifiers  
(MIL-PRF-19500/575). JAN, JANTX, JANTXV,  
and JANS versions are currently available direct from  
the factory. Contact SSDI today for more informa-  
tion and to request samples. SSDI looks forward to  
continuing its work with DLA Land and Maritime  
to qualify more of its current product offerings for  
JANS certification, the highest quality level assigned  
by MIL-PRF-19500.  
Axial  
Leaded  
Surface  
Mount  
JAN / JANTX / JANTXV / JANS1N6512 - 1N6519  
Maximum Ratings / Electrical Characteristics  
RθJL2  
C
IFSM  
VF  
RθJL1  
IR  
Part  
VRWM  
IO tRR  
TSTG  
TJ  
RθJEC  
VR = 50V  
F = 1kHz  
O (pF)  
L=.25",  
Oil Bath  
(°C/W)  
tp=8.3 ms  
L=.25", Air  
(°C/W)  
T =+25°C  
@I  
A(µA)  
(VO)  
(V)  
(A)  
(ns)  
(°C)  
(°C)  
(°C/W)  
Number  
(A)  
1N6512, US 1,500  
1N6513, US 2,000  
1N6514, US 2,500  
1N6515, US 3,000  
1N6516, US 4,000  
1N6517, US 5,000  
1N6518, US 7,500  
1N6519, US 10,000  
100  
100  
60  
1.5  
1.5  
1.0  
1.0  
70 -65 to +200 -65 to +175  
70 -65 to +200 -65 to +175  
70 -65 to +200 -65 to +175  
70 -65 to +200 -65 to +175  
16  
16  
16  
16  
16  
16  
16  
16  
12  
12  
12  
12  
12  
12  
12  
12  
4
4
4
4
5
5
5
5
1.0  
1.0  
1.0  
1.0  
1.0  
1.0  
1.0  
1.0  
3.5  
3.5  
25  
25  
20  
20  
16  
16  
8
6.0  
60  
6.0  
40  
0.75 70 -65 to +200 -65 to +175  
0.75 70 -65 to +200 -65 to +175  
8.0  
40  
8.0  
25  
0.5  
0.5  
70 -65 to +200 -65 to +175  
70 -65 to +200 -65 to +175  
13.0  
13.0  
25  
8
FEATURES  
BENEFITS / ADVANTAGES  
High Reverse Voltage: 1,500 - 10,000 Volts  
Void Free Ceramic Frit Construction  
Solid Silver Leads  
ƒ For use in high voltage systems including TWT radar applications  
ƒ Excellent cryogenic performance in liquid-to-liquid shock tests  
ƒ High thermal conductivity  
ƒ High switching efficiency; Lower switching losses  
Ultra fast recovery  
ƒ Hyper fast recovery versions available - contact factory  
JAN, JANTX, JANTXV, & JANS screening available  
ƒ Screened to MIL-PRF-19500  
Contact SSDI for more information and to request samples  
Solid State Devices, Inc. | ISO 9001: 2008 & AS9100:2009 Rev. C | (562) 404-4474 | www.ssdi-power.com  
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与JANTXV1N6514US相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
JANTXV1N6515 VMI

获取价格

 		Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1.5A, 3000V V(RRM), Silicon, HERMETIC SEALED PACKAGE-
JANTXV1N6515 SSDI

获取价格

 		1 A, 3 kV Ultrafast Recovery High Voltage Rectifier
JANTXV1N6515U VMI

获取价格

 		Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3.5A, 3000V V(RRM), Silicon, HERMETIC SEALED PACKAGE-
JANTXV1N6515US VMI

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 		Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3.5A, 3000V V(RRM), Silicon, HERMETIC SEALED PACKAGE-
JANTXV1N6516 VMI

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 		Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 4000V V(RRM), Silicon,
JANTXV1N6516 SSDI

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 		0.75 A, 5 kV Ultrafast Recovery High Voltage Rectifier
JANTXV1N6517U VMI

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 		Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 2A, 5000V V(RRM), Silicon, HERMETIC SEALED PACKAGE-2
JANTXV1N6517US SSDI

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 		Rectifier Diode, 1 Element, 0.75A, 5000V V(RRM), Silicon,

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