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JANTXV1N6491US

更新时间： 2024-02-08 11:28:22
品牌 Logo 应用领域
CDI-DIODE 测试二极管
页数 文件大小 规格书
2页 107K
描述
Zener Diode, 5.6V V(Z), 5%, 1.5W, Silicon, Unidirectional, HERMETIC SEALED, GLASS, D-5A, 2 PIN

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JANTXV1N6491US 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：Active包装说明：O-LELF-R2
针数：2Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.50
风险等级：5.22其他特性：METALLURGICALLY BONDED
外壳连接：ISOLATED配置：SINGLE
二极管元件材料：SILICON二极管类型：ZENER DIODE
JESD-30 代码：O-LELF-R2JESD-609代码：e0
元件数量：1端子数量：2
封装主体材料：GLASS封装形状：ROUND
封装形式：LONG FORM峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性：UNIDIRECTIONAL最大功率耗散：1.5 W
认证状态：Qualified参考标准：MIL-19500
标称参考电压：5.6 V表面贴装：YES
技术：ZENER端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：WRAP AROUND端子位置：END
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED最大电压容差：5%
工作测试电流：45 mABase Number Matches：1

JANTXV1N6491US 数据手册

 浏览型号JANTXV1N6491US的Datasheet PDF文件第2页 
1N6485US  
THRU  
• AVAILABLE IN JAN, JANTX, JANTXV AND JANS  
PER MIL-PRF-19500/406  
1N6491US  
AND  
1N4460US  
AND  
• 1.5 WATT ZENER DIODES  
• NON CAVITY CONSTRUCTION  
• METALLURGICALLY BONDED  
1N4461US  
MAXIMUM RATINGS  
Operating Temperature: -65°C to +175°C  
Storage Temperature: -65°C to +200°C  
Power Dissapation: 1.5W @ T =+25°C  
A
Power Derating: 10mW/°C above T =+25°C  
A
Forward Voltage: 1.0V dc @ I =200mA dc  
F
1.5 V dc @ I =1A dc  
F
MILLIMETERS  
INCHES  
DIM MIN  
MAX  
2.62  
0.71  
5.08  
MIN MAX  
0.091 0.103  
0.019 0.028  
0.168 0.200  
0.003MIN.  
D
F
G
2.31  
0.48  
4.28  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS @ 25°C, unless otherwise specified  
S
0.08MIN.  
ZENER  
TEST  
DYNAMIC  
KNEE  
TEST  
REVERSE TEST  
MAXIMUM V  
Z
(REG)  
MAXIMUM  
SURGE  
VOLTAGE CURRENT IMPEDENCE IMPEDENCE CURRENT CURRENT VOLTAGE CURRENT  
(NOM.)  
±5%  
▲
V
Z
TYPE  
I
(MAX.)  
(MAX.)  
I
(MAX.)  
I @V  
R
V
I
ZM  
ZT  
ZK  
R
Z
@I  
Z
@I  
ZT ZT  
ZK ZT  
R
FIGURE 1  
VOLTS  
mA  
OHMS  
OHMS  
mA  
µ A  
VOLTS  
MA  
VOLTS  
AMPS  
1N6485US  
3.3  
76.0  
10  
400  
1.0  
50  
1.0  
433  
.90  
4.2  
1N6486US 9.0 3.66  
10  
400  
1.0  
1.0  
50  
1.0  
2.0  
397  
.80  
.40  
3.9  
2.5  
1N6487US  
1N6488US  
3.9  
4.3  
64.0  
58.0  
9
9
400  
400  
1.0  
1.0  
35  
5.0  
1.0  
1.0  
366  
332  
.75  
.70  
3.6  
3.3  
DESIGN DATA  
1N6489US  
1N6490US  
1N6491US  
1N4460US  
1N4461US  
4.7  
5.1  
5.645.0  
6.2  
6.8  
53.0  
49.0  
8
7
500  
500  
1.0  
1.0  
4.0  
1.0  
1.0  
1.0  
304  
280  
.60  
.50  
3.0  
2.7  
5
00  
6
0.5  
255  
CASE: D-5A, hermetically sealed glass  
case, per MIL-PRF- 19500/406  
40.0  
37.0  
4
200  
200  
1.0  
1.0  
10.0  
5.0  
3.72  
4.08  
230  
210  
.35  
.30  
2.3  
2.1  
2.5  
LEAD FINISH: Tin / Lead  
THERMAL RESISTANCE: (R  
20 ˚C/W maximum at L = 0  
):  
OJEC  
THERMAL IMPEDANCE: (Z  
˚C/W maximum  
): 4.5  
OJX  
POLARITY: Diode to be operated with  
the banded (cathode) end positive.  
MOUNTING SURFACE SELECTION:  
The Axial Coefficient of Expansion  
(COE) of this device is approximately  
+ 4PPM / °C. The COE of the Mounting  
Surface System should be selected to  
provide a suitable match with this  
device.  
22 COREY STREET, MELROSE, MASSACHUSETTS 02176  
PHONE (781) 665-1071  
WEBSITE: http://www.cdi-diodes.com  
FAX (781) 665-7379  
E-mail: mail@cdi-diodes.com  
12

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与JANTXV1N6491US相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
JANTXV1N6491USC MICROSEMI

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 		Zener Diode, 5.6V V(Z), 2%, 1.5W, Silicon, Unidirectional, HERMETIC SEALED, GLASS PACKAGE-
JANTXV1N6491USD MICROSEMI

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 		Zener Diode, 5.6V V(Z), 1%, 1.5W, Silicon, Unidirectional, HERMETIC SEALED, GLASS PACKAGE-
JANTXV1N6492 MICROSEMI

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 		Rectifier Diode,
JANTXV1N6506 MICROSEMI

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 		Rectifier Diode, 8 Element, 0.3A, Silicon, DIP16
JANTXV1N6507 MICROSEMI

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 		Rectifier Diode, 8 Element, 0.3A, Silicon, DIP16
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 		Trans Voltage Suppressor Diode,
JANTXV1N6510 MICROSEMI

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 		Rectifier Diode,
JANTXV1N6511 NSC

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 		DIODE UNIDIRECTIONAL, 7 ELEMENT, SILICON, TVS DIODE, DIP-14, Transient Suppressor
JANTXV1N6511 MICROSEMI

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 		Trans Voltage Suppressor Diode, Unidirectional, 7 Element, Silicon, DIP-14
JANTXV1N6512 VMI

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 		Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 2A, 1500V V(RRM), Silicon,

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