5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > JANTXV1N6511
JANTXV1N6511 PDF预览

JANTXV1N6511

更新时间： 2024-01-06 13:06:13
品牌 Logo 应用领域
美国国家半导体 - NSC 局域网光电二极管电视
页数 文件大小 规格书
23页 179K
描述
DIODE UNIDIRECTIONAL, 7 ELEMENT, SILICON, TVS DIODE, DIP-14, Transient Suppressor

阅读下载

中文翻译

获取价格

JANTXV1N6511 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
包装说明：DIP-14Reach Compliance Code：unknown
风险等级：5.47最大击穿电压：75 V
配置：SEPARATE, 7 ELEMENTS二极管元件材料：SILICON
二极管类型：TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE最大正向电压 (VF)：1 V
JESD-30 代码：R-PDIP-T14JESD-609代码：e0
元件数量：7端子数量：14
最高工作温度：175 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：IN-LINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性：UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散：0.6 W认证状态：Not Qualified
参考标准：MIL-19500/474E最大重复峰值反向电压：65 V
最大反向电流：0.025 µA最大反向恢复时间：0.005 µs
反向测试电压：20 V子类别：Other Diodes
表面贴装：NO技术：AVALANCHE
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
Base Number Matches：1

JANTXV1N6511 数据手册

 浏览型号JANTXV1N6511的Datasheet PDF文件第2页浏览型号JANTXV1N6511的Datasheet PDF文件第3页浏览型号JANTXV1N6511的Datasheet PDF文件第4页浏览型号JANTXV1N6511的Datasheet PDF文件第5页浏览型号JANTXV1N6511的Datasheet PDF文件第6页浏览型号JANTXV1N6511的Datasheet PDF文件第7页 
The documentation and process conversion  
measures necessary to comply with this  
revision shall be completed by 3 February 1998  
INCH-POUND  
MIL-PRF-19500/474E  
3 November 1997  
SUPERSEDING  
MIL-S-19500/474D  
6 September 1988  
PERFORMANCE SPECIFICATION SHEET  
SEMICONDUCTOR DEVICE, SILICON, MULTIPLE DIODE ARRAYS,  
TYPES 1N5768, 1N5770, 1N5772, 1N5774, 1N6100, 1N6101, 1N6496,  
1N6506, 1N6507, 1N6508, 1N6509, 1N6510, AND 1N6511  
JAN, JANTX, JANTXV, AND JANS  
This specification is approved for use by all Depart-  
ments and Agencies of the Department of Defense.  
1. SCOPE  
1.1 Scope. This specification covers the performance requirements for silicon, multiple diode arrays. Four levels of product  
assurance are provided for each device type as specified in MIL-PRF-19500.  
1.2 Physical dimensions. See figures 1, 2, 3, 4, 5, and 6.  
1.3 Schematic configurations.  
Beneficial comments (recommendations, additions, deletions) and any pertinent data which may be of use in improving this document  
should be addressed to: Commander, Defense Supply Center Columbus, ATTN: DSCC-VAT, 3990 East Broad Street, Columbus, OH  
43216-5000, by using the Standardization Document Improvement Proposal (DD Form 1426) appearing at the end of this document or  
by letter.  
AMSC N/A  
FSC 5961  
DISTRIBUTION STATEMENT A. Approved for public release; distribution is unlimited.  
1234567...23

中文翻译

下载PDF

与JANTXV1N6511相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
JANTXV1N6512 VMI

获取价格

 		Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 2A, 1500V V(RRM), Silicon,
JANTXV1N6512 SSDI

获取价格

 		1.5 A, 1.5 kV Ultrafast Recovery High Voltage Rectifier
JANTXV1N6512U VMI

获取价格

 		Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 5A, 1500V V(RRM), Silicon, HERMETIC SEALED PACKAGE-2
JANTXV1N6513 VMI

获取价格

 		Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 2A, 2000V V(RRM), Silicon,
JANTXV1N6513 SSDI

获取价格

 		1.5 A, 2 kV Ultrafast Recovery High Voltage Rectifier
JANTXV1N6513U VMI

获取价格

 		Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 5A, 2000V V(RRM), Silicon, HERMETIC SEALED PACKAGE-2
JANTXV1N6513US VMI

获取价格

 		Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 5A, 2000V V(RRM), Silicon, HERMETIC SEALED PACKAGE-2
JANTXV1N6514 VMI

获取价格

 		Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1.5A, 2500V V(RRM), Silicon,
JANTXV1N6514 SSDI

获取价格

 		1 A, 2.5 kV Ultrafast Recovery High Voltage Rectifier
JANTXV1N6514U VMI

获取价格

 		Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3.5A, 2500V V(RRM), Silicon, HERMETIC SEALED PACKAGE-

与JANTXV1N6511相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证