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JANTXV1N6506

更新时间： 2024-01-10 15:38:10
品牌 Logo 应用领域
美高森美 - MICROSEMI 光电二极管
页数 文件大小 规格书
5页 64K
描述
Rectifier Diode, 8 Element, 0.3A, Silicon, DIP16

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JANTXV1N6506 技术参数

是否无铅：含铅是否Rohs认证：不符合
生命周期：Active零件包装代码：DIP
包装说明：R-PDIP-T16针数：16
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.70风险等级：5.44
Is Samacsys：N配置：COMMON CATHODE, 8 ELEMENTS
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码：R-PDIP-T16JESD-609代码：e0
元件数量：8端子数量：16
最大输出电流：0.3 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：IN-LINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED最大功率耗散：0.6 W
认证状态：Qualified参考标准：MIL-19500/474E
最大反向恢复时间：0.02 µs表面贴装：NO
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
Base Number Matches：1

JANTXV1N6506 数据手册

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SG5768, SG5770, SG5772, SG5774  
SG6506/SG6507/SG6508/SG6509  
DIODE ARRAY CIRCUITS  
DESCRIPTION  
FEATURES  
The Linfinity series of diode arrays feature high breakdown, high speed  
diodes in a variety of configurations.  
• 60V minimum breakdown voltage  
• 500mA current capability per diode  
• Fast switching speeds: typically less than  
10ns  
Each array configuration consists of either common anode diodes,  
common cathode diodes, or a combination of common anode and  
common cathode diodes.  
• Low leakage current  
HIGH RELIABILITY FEATURES  
Individual diodes within the array have 60V minimum breakdown  
voltage, can handle 500mA of current and typically switch in less than  
10 nanoseconds.  
♦ MIL-S-19500/474 QPL - 1N5768 - 1N6506  
- 1N5770 - 1N6507  
- 1N5772 - 1N6508  
Each of the array configurations is available in ceramic DIP or ceramic  
flatpack and can be processed to JANTXV, JANTX, or JAN flows at  
Linfinity’s MIL-S-19500 facility.  
- 1N5774 - 1N6509  
♦ JANTXV, JANTX & JAN available  
♦ LMI level "S" processing available  
CIRCUIT DIAGRAMS  
COMMON CATHODE  
SG5768/SG6506  
COMMON ANODE  
SG5770/SG6507  
COMMON ANODE / COMMON CATHODE  
SG5772/SG6508  
DUAL COMMON ANODE / COMMON CATHODE  
SG5774/SG6509  
6/90 Rev 1.1 2/94  
LINFINITY Microelectronics Inc.  
Copyright 1994  
11861 Western Avenue ∞ Garden Grove, CA 92841  
1
(714) 898-8121 ∞ FAX: (714) 893-2570  
12345

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与JANTXV1N6506相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
JANTXV1N6507 MICROSEMI

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 		Rectifier Diode, 8 Element, 0.3A, Silicon, DIP16
JANTXV1N6509 MICROSEMI

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 		Trans Voltage Suppressor Diode,
JANTXV1N6510 MICROSEMI

获取价格

 		Rectifier Diode,
JANTXV1N6511 NSC

获取价格

 		DIODE UNIDIRECTIONAL, 7 ELEMENT, SILICON, TVS DIODE, DIP-14, Transient Suppressor
JANTXV1N6511 MICROSEMI

获取价格

 		Trans Voltage Suppressor Diode, Unidirectional, 7 Element, Silicon, DIP-14
JANTXV1N6512 VMI

获取价格

 		Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 2A, 1500V V(RRM), Silicon,
JANTXV1N6512 SSDI

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 		1.5 A, 1.5 kV Ultrafast Recovery High Voltage Rectifier
JANTXV1N6512U VMI

获取价格

 		Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 5A, 1500V V(RRM), Silicon, HERMETIC SEALED PACKAGE-2
JANTXV1N6513 VMI

获取价格

 		Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 2A, 2000V V(RRM), Silicon,
JANTXV1N6513 SSDI

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 		1.5 A, 2 kV Ultrafast Recovery High Voltage Rectifier

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