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JANTXV1N6510

更新时间： 2024-01-21 13:38:27

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美高森美 - MICROSEMI		二极管
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Rectifier Diode,

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JANTXV1N6510 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	FP-16
针数：	16	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.70
风险等级：	5.38	配置：	SEPARATE, 8 ELEMENTS
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码：	R-PDFP-F16	元件数量：	8
端子数量：	16	最大输出电流：	0.3 A
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLATPACK	最大功率耗散：	0.5 W
认证状态：	Qualified	参考标准：	MIL-19500/474E
最大反向恢复时间：	0.005 µs	表面贴装：	YES
端子形式：	FLAT	端子位置：	DUAL
Base Number Matches：	1

JANTXV1N6510 数据手册

1N6510

JANTX, JANTXV

A Microsemi Company

580 Pleasant St.

Watertown, MA 02472

Phone: 617-924-9280

Fax: 617-924-1235

DIODE ARRAY PRODUCT SPECIFICATION

MONOLITHIC AIR ISOLATED

DIODE ARRAY

FEATURES:

· QUALIFIED PARTS LISTING: MIL-PRF-19500/474

· Bv > 75V at 5uA

· Ir < 100nA at 40V

· C < 4.0 pF

Absolute Maximum Ratings:

Symbol

Parameter

Limit

Unit

.400

.370

.008

.003

.015

MAX

.020

MAX

VBR(R) *1 *2 Reverse Breakdown Voltage

Vdc

*1 * 3 Continuous Forward Current

*1 Peak Surge Current (tp= 1/120 s)

*4 Power Dissipation per Junction @ 25°C

300

500

400

500

mAdc

.370

.250

IFSM

PT1

PT2

Top

Tstg

Power Dissipation per Package @ 25°C

Operating Junction Temperature Range

Storage Temperature Range

-65 to +150 °C

-65 to +200 °C

.260

.245

NOTE 1: Each Diode

.015

MAX

.040

.025

NOTE 2: Pulsed: PW = 100ms max.; duty cycle < 20%

NOTE 3: Derate at 2.4mA/°C above +25 °C

NOTE 4: Derate at 4.0mW/°C above +25 °C

.370

.250

.019

.015

.050

BSC

.085

.060

Electrical Characteristics (Per Diode) @

25°C unless otherwise specified

PACKAGE OUTLINE

Symbol Parameter

Conditions

Min

Max Unit

Vf1

IR1

IR2

tfr

trr

Forward Voltage

Reverse Current

Capacitance (pin to pin)

Forward Recovery Time

Reverse Recovery Time

Forward Voltage Match

If = 100mAdc *1

VR = 40 Vdc

VR = 20 Vdc

VR = 0 Vdc ; f = 1 MHz

If = 100mAdc

If = IR = 10mAdc, irr = 1 mAdc, RL = 100 ohms

If = 10 mA

Vdc

0.1 uAdc

25 nAdc

4.0 pF

VF5

NOTE 1: Pulsed: PW = 300us +/- 50us, duty cycle < 2%, 90us after leading edge

Sertech reserves the right to make changes to any product design, specification or other

information at any time without prior notice.

MSC1009.PDF Rev - 11/24/98

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JANTXV1N6510 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
1N6510	MICROSEMI	完全替代	MONOLITHIC AIR ISOLATED DIODE ARRAY
JANTX1N6510	MICROSEMI	类似代替	Rectifier Diode,

与JANTXV1N6510相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
JANTXV1N6511	NSC	获取价格	DIODE UNIDIRECTIONAL, 7 ELEMENT, SILICON, TVS DIODE, DIP-14, Transient Suppressor
JANTXV1N6511	MICROSEMI	获取价格	Trans Voltage Suppressor Diode, Unidirectional, 7 Element, Silicon, DIP-14
JANTXV1N6512	VMI	获取价格	Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 2A, 1500V V(RRM), Silicon,
JANTXV1N6512	SSDI	获取价格	1.5 A, 1.5 kV Ultrafast Recovery High Voltage Rectifier
JANTXV1N6512U	VMI	获取价格	Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 5A, 1500V V(RRM), Silicon, HERMETIC SEALED PACKAGE-2
JANTXV1N6513	VMI	获取价格	Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 2A, 2000V V(RRM), Silicon,
JANTXV1N6513	SSDI	获取价格	1.5 A, 2 kV Ultrafast Recovery High Voltage Rectifier
JANTXV1N6513U	VMI	获取价格	Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 5A, 2000V V(RRM), Silicon, HERMETIC SEALED PACKAGE-2
JANTXV1N6513US	VMI	获取价格	Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 5A, 2000V V(RRM), Silicon, HERMETIC SEALED PACKAGE-2
JANTXV1N6514	VMI	获取价格	Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1.5A, 2500V V(RRM), Silicon,

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