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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | SIMILAR TO DO-41, 2 PIN | 针数： | 2 |
| Reach Compliance Code： | compliant | HTS代码： | 8541.10.00.80 |
| 风险等级： | 5.33 | 应用： | FAST RECOVERY POWER |
| 外壳连接： | ISOLATED | 配置： | SINGLE |
| 二极管元件材料： | SILICON | 二极管类型： | RECTIFIER DIODE |
| JESD-30 代码： | O-XALF-W2 | JESD-609代码： | e0 |
| 最大非重复峰值正向电流： | 80 A | 元件数量： | 1 |
| 相数： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 最大输出电流： | 3 A | 封装主体材料： | UNSPECIFIED |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | LONG FORM |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 认证状态： | Qualified |
| 参考标准： | MIL-19500/424A | 最大反向恢复时间： | 0.25 µs |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) - with Nickel (Ni) barrier |
| 端子形式： | WIRE | 端子位置： | AXIAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| JANTXV1N5189 | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, Avalanche, 1 Phase, 1 Element, 3A, Silicon, HERMETIC SEALED, GLASS, E, 2 |
|
| JANTXV1N5190 | MICROSEMI |
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Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, Silicon, SIMILAR TO DO-41, 2 PIN |
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| JANTXV1N5194 | CDI-DIODE |
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Rectifier Diode, 1 Element, 0.2A, Silicon, DO-35, GLASS PACKAGE-2 |
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| JANTXV1N5194-1 | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Element, 0.2A, Silicon, DO-35, |
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| JANTXV1N5195 | MICROSEMI |
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Rectifier Diode, 1 Element, 0.2A, 200V V(RRM), Silicon, |
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| JANTXV1N5195 | CDI-DIODE |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Element, 0.2A, Silicon, DO-35, |
|
| JANTXV1N5195R | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Element, 0.2A, 200V V(RRM), Silicon, |
|
| JANTXV1N5195UR | MICROSEMI |
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Rectifier Diode, 1 Element, 0.2A, Silicon, DO-213AA, GLASS PACKAGE-2 |
|
| JANTXV1N5195UR | CDI-DIODE |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Element, 0.2A, Silicon, DO-213AA, GLASS PACKAGE-2 |
|
| JANTXV1N5195US | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Element, 0.2A, 200V V(RRM), |
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