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JANTXV1N5195

更新时间： 2024-11-30 20:05:11

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CDI-DIODE		二极管
页数	文件大小	规格书
2页	31K
描述
Rectifier Diode, 1 Element, 0.2A, Silicon, DO-35,

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JANTXV1N5195 技术参数

生命周期：	Transferred	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.71	其他特性：	METALLURGICALLY BONDED
外壳连接：	ISOLATED	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
JEDEC-95代码：	DO-35	JESD-30 代码：	O-LALF-W2
元件数量：	1	端子数量：	2
最大输出电流：	0.2 A	封装主体材料：	GLASS
封装形状：	ROUND	封装形式：	LONG FORM
认证状态：	Not Qualified	参考标准：	MIL-19500/118
表面贴装：	NO	端子形式：	WIRE
端子位置：	AXIAL	Base Number Matches：	1

JANTXV1N5195 数据手册

1N5194

1N5195

1N5196

• AVAILABLE IN JAN, JANTX, AND JANTXV

PER MIL-PRF-19500/118

• GENERAL PURPOSE SILICON DIODES

• METALLURGICALLY BONDED

MAXIMUM RATINGS

Operating Temperature: -65°C to +175°C

Storage Temperature: -65°C to +175°C

Operating Current: 200 mA

Derating: 1.2 mA/°C From 25°C to 150°C

1.0 mA/°C From 150°C to 175°C

Forward Current: 650 mA

ELECTRICAL CHARACTERISTICS @ 25°C, unless otherwise specified

TYPE

FSM

RWM

= 150°C

= 1/120 s

= 25°C

V (pk)

1N5194

1N5195

1N5196

180

250

180

225

200

FIGURE 1

DESIGN DATA

TYPE

R1 at RWM

R2 at RM

R3 at RWM

@100mA

= 25°C

= 150°C

CASE: Hermetically sealed glass

V dc

nA dc

µA

µA dc

case. DO – 35 outline.

1N5194

1N5195

1N5196

0.8 - 1.0

100

LEAD MATERIAL: Copper clad steel.

LEAD FINISH: Tin / Lead

THERMAL RESISTANCE: (R

250 ˚C/W maximum

OJEC

THERMAL IMPEDANCE: (Z

˚C/W maximum

): 70

POLARITY: Cathode end is banded.

MOUNTING POSITION: ANY.

22 COREY STREET, MELROSE, MASSACHUSETTS 02176

PHONE (781) 665-1071

WEBSITE: http://www.cdi-diodes.com

FAX (781) 665-7379

E-mail: mail@cdi-diodes.com

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