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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Active | 包装说明： | , |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.51 | 最大集电极电流 (IC)： | 0.3 A |
| 配置： | Single | 最小直流电流增益 (hFE)： | 100 |
| JESD-609代码： | e0 | 最高工作温度： | 200 °C |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | NPN |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 1 W | 认证状态： | Qualified |
| 子类别： | Other Transistors | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| JANTX2N3501UB | MICROSEMI |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.3A I(C), 150V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, SURFAC |
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| JANTX2N3506 | MICROSEMI |
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Small Signal Bipolar Transistor, 3A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-205, S |
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| JANTX2N3506A | ETC |
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BJT |
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| JANTX2N3506AL | ETC |
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BJT |
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| JANTX2N3506AU4 | MICROSEMI |
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Small Signal Bipolar Transistor, 3A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, HERMETIC |
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| JANTX2N3506L | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | NPN | 40V V(BR)CEO | 3A I(C) | TO-5 |
|
| JANTX2N3507 | MICROSEMI |
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Small Signal Bipolar Transistor, 3A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-205, S |
|
| JANTX2N3507A | ETC |
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BJT |
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| JANTX2N3507AL | ETC |
获取价格 |
BJT |
|
| JANTX2N3507AU4 | MICROSEMI |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 3A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, HERMETIC |
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