5秒后页面跳转
| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | TO-254AA |
| 包装说明： | S-XSFM-P3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.10.00.80 | 风险等级： | 8.09 |
| 应用： | POWER | 外壳连接： | ISOLATED |
| 配置： | COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS | 二极管元件材料： | SILICON |
| 二极管类型： | RECTIFIER DIODE | JEDEC-95代码： | TO-254AA |
| JESD-30 代码： | S-XSFM-P3 | JESD-609代码： | e0 |
| 最大非重复峰值正向电流： | 300 A | 元件数量： | 2 |
| 相数： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 最低工作温度： | -65 °C |
| 最大输出电流： | 15 A | 封装主体材料： | UNSPECIFIED |
| 封装形状： | SQUARE | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 认证状态： | Qualified |
| 参考标准： | MIL-19500/608 | 最大重复峰值反向电压： | 45 V |
| 表面贴装： | NO | 技术： | SCHOTTKY |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | PIN/PEG |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| JANTXV1N6660R | MICROSEMI |
类似代替  |
Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 30A, Silicon, TO-254AA, HERMETIC SEALED, TO |
|
| JAN1N6660 | MICROSEMI |
功能相似 |
Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 15A, 45V V(RRM), Silicon, TO-254AA, TO-254, |
|
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| JANTX1N6660CAT1 | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 15A, 45V V(RRM), Silicon, TO-254AA, TO-254, |
|
| JANTX1N6660CCT1 | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 30A, 45V V(RRM), Silicon, TO-254AA, HERMETI |
|
| JANTX1N6660CCT1 | INFINEON |
获取价格 |
35A 45V Hi-Rel Schottky Common Cathode Diode in a TO-254AA package DLA Number 1N6660CCT1 - |
|
| JANTX1N6660DT1 | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 15A, 45V V(RRM), Silicon, TO-254AA, TO-254, |
|
| JANTX1N6660R | SENSITRON |
获取价格 |
Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 30A, 45V V(RRM), Silicon, TO-254AA, HERMETI |
|
| JANTX1N6660RT1 | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 15A, 45V V(RRM), Silicon, TO-254AA, |
|
| JANTX1N6661US | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Element, 0.5A, Silicon, DO-35, |
|
| JANTX1N6662 | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Element, 0.5A, Silicon, DO-35, |
|
| JANTX1N6662US | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Element, 0.5A, Silicon, DO-35, |
|
| JANTX1N6663 | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Element, 0.5A, Silicon, DO-35, |
|
SL74HC10N：高性能三输入与非门解析
AIC1781A 电池充电控制器深度解析
Pickering新高压舌簧继电器亮相汽车测试博览会
采用MCU+MPU双处理器架构实现的创新应用设计探索
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
替代型号
如果您发现信息不准确，
