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JANTX1N6761-1

更新时间： 2024-09-14 19:02:35
品牌 Logo 应用领域
CDI-DIODE 二极管
页数 文件大小 规格书
2页 36K
描述
Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 1A, Silicon, DO-41, HERMETIC SEALED PACKAGE-2

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JANTX1N6761-1 技术参数

生命周期：Transferred包装说明：HERMETIC SEALED PACKAGE-2
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.72
其他特性：METALLURGICALLY BONDED外壳连接：ISOLATED
配置：SINGLE二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODEJEDEC-95代码：DO-41
JESD-30 代码：O-XALF-W2元件数量：1
端子数量：2最大输出电流：1 A
封装主体材料：UNSPECIFIED封装形状：ROUND
封装形式：LONG FORM认证状态：Not Qualified
参考标准：MIL-19500/586F表面贴装：NO
技术：SCHOTTKY端子形式：WIRE
端子位置：AXIALBase Number Matches：1

JANTX1N6761-1 数据手册

 浏览型号JANTX1N6761-1的Datasheet PDF文件第2页 
1N6759 thru 1N6761  
and  
• 1N5819-1 AND 1N6761-1AVAILABLE IN JAN,JANTX, JANTXV,  
AND JANS PER MIL-PRF-19500/586  
DSB1A20 thru DSB1A100  
• 1 AMP SCHOTTKY BARRIER RECTIFIERS  
• HERMETICALLY SEALED  
and  
1N5819  
and  
• METALLURGICALLY BONDED  
DSB5817 and DSB5818  
MAXIMUM RATINGS  
Operating Temperature: -55°C to +125°C  
Storage Temperature: -55°C to +150°C  
Average Rectified Forward Current: 1.0 AMP @T +55°C, L = 3/8”  
L
Derating: 14 mA / °C above T  
+55°C, L = 3/8”  
L =  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS @ 25°C, unless otherwise specified.  
WORKING PEAK  
REVERSE  
VOLTAGE  
MAXIMUM REVERSE  
LEAKAGE CURRENT  
AT RATED VOLTAGE  
CDI  
TYPE  
MAXIMUM FORWARD VOLTAGE  
NUMBER  
FIGURE 1  
VRWM  
VOLTS  
VF@0.1A  
VF@1.0A  
VOLTS  
VF@3.1A  
I R@25°C  
mA  
I R@100°C  
mA  
VOLTS  
VOLTS  
DSB5817  
20  
30  
40  
45  
0.36  
0.36  
0.36  
0.34  
0.60  
0.60  
0.60  
0.49  
0.9  
0.9  
0.9  
0.8  
0.10  
0.10  
0.10  
0.05  
5.0  
5.0  
5.0  
5.0  
DSB5818  
1N5819  
DESIGN DATA  
J,JX,JV & JS  
5819-1  
CASE: Hermetically sealed, DO – 41  
LEAD MATERIAL: Copper clad steel  
LEAD FINISH: Tin / Lead  
1N6759  
60  
80  
0.38  
0.38  
0.69  
0.69  
NA  
NA  
0.10  
0.10  
6.0  
6.0  
1N6760  
1N6761  
100  
100  
0.38  
0.38  
0.69  
0.69  
NA  
NA  
0.10  
0.10  
6.0  
J,JX,JV & JS  
6761-1  
12.0  
THERMAL RESISTANCE: (R  
): 70  
OJEC  
DSB1A20  
DSB1A30  
20  
30  
0.36  
0.36  
0.60  
0.60  
0.9  
0.9  
0.10  
0.10  
5.0  
5.0  
˚C/W maximum at L = .375 inch  
THERMAL IMPEDANCE: (Z  
˚C/W maximum  
): 12  
OJX  
DSB1A40  
DSB1A50  
DSB1A60  
40  
50  
60  
0.36  
0.36  
0.38  
0.60  
0.60  
0.69  
0.9  
0.9  
NA  
0.10  
0.10  
0.10  
5.0  
5.0  
12.0  
POLARITY: Cathode end is banded.  
MOUNTING POSITION: Any  
DSB1A80  
80  
0.38  
0.38  
0.69  
0.69  
NA  
NA  
0.10  
0.10  
12.0  
12.0  
DSB1A100  
100  
22 COREY STREET, MELROSE, MASSACHUSETTS 02176  
PHONE (781) 665-1071  
WEBSITE: http://www.cdi-diodes.com  
FAX (781) 665-7379  
E-mail: mail@cdi-diodes.com  
12

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与JANTX1N6761-1相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
JANTX1N6761UR-1 MICROSEMI

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 		Operating Temperature: -55°C to 125°C, Stor
JANTX1N6761UR-1 CDI-DIODE

获取价格

 		Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 1A, Silicon, DO-213AB, HERMETIC SEALED PACKAGE-2
JANTX1N6762 MICROSEMI

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 		Rectifier Diode, 1 Phase, 2 Element, 12A, 50V V(RRM), Silicon, TO-254AA, TO-254AA, 3 PIN
JANTX1N6762R MICROSEMI

获取价格

 		Rectifier Diode, 1 Phase, 2 Element, 12A, 50V V(RRM), Silicon, TO-254AA, TO-254AA, 3 PIN
JANTX1N6763 MICROSEMI

获取价格

 		Rectifier Diode, 1 Phase, 2 Element, 12A, 100V V(RRM), Silicon, TO-254AA, TO-254AA, 3 PIN
JANTX1N6763R ETC

获取价格

 		JANTX, JANTXV POWER DUAL RECTIFIERS IN A TO-254AA PACKAGE QUALIFIED TO MIL-PRF-19500/642
JANTX1N6764 MICROSEMI

获取价格

 		Rectifier Diode, 1 Phase, 2 Element, 12A, 150V V(RRM), Silicon, TO-254AA, TO-254AA, 3 PIN
JANTX1N6764R MICROSEMI

获取价格

 		Rectifier Diode, 1 Phase, 2 Element, 12A, 150V V(RRM), Silicon, TO-254AA, TO-254AA, 3 PIN
JANTX1N6765 MICROSEMI

获取价格

 		Rectifier Diode, 1 Phase, 2 Element, 12A, 200V V(RRM), Silicon, TO-254AA, TO-254AA, 3 PIN
JANTX1N6765R MICROSEMI

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 		Rectifier Diode, 1 Phase, 2 Element, 12A, 200V V(RRM), Silicon, TO-254AA, TO-254AA, 3 PIN

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