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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Not Recommended | 包装说明： | E-LALF-W2 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.38 | Is Samacsys： | N |
| 外壳连接： | ISOLATED | 配置： | SINGLE |
| 二极管元件材料： | SILICON | 二极管类型： | RECTIFIER DIODE |
| 最大正向电压 (VF)： | 14 V | JESD-30 代码： | E-LALF-W2 |
| JESD-609代码： | e0 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 最高工作温度： | 175 °C |
| 最大输出电流： | 0.025 A | 封装主体材料： | GLASS |
| 封装形状： | ELLIPTICAL | 封装形式： | LONG FORM |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 认证状态： | Qualified |
| 参考标准： | MIL | 最大重复峰值反向电压： | 7500 V |
| 子类别： | Rectifier Diodes | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | WIRE |
| 端子位置： | AXIAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| JANTX1N6535 | VMI |
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Rectifier Diode, 1 Element, 0.025A, 10000V V(RRM), Silicon, HERMETIC SEALED PACKAGE-2 |
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| JANTX1N6620 | SENSITRON |
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DESCRIPTION: 200 VOLT, AMP, 30 NS HERMETIC RECTIFIER IN A 106 PACKAGE. |
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| JANTX1N6620U | MICROSEMI |
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Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1.2A, 200V V(RRM), Silicon, HERMETIC, MELF-A, 2 PIN |
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| JANTX1N6620U | SENSITRON |
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DESCRIPTION: 200 VOLT, AMP, 30 NS HERMETIC RECTIFIER IN A MELF-A PACKAGE. |
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| JANTX1N6620US | MICROSEMI |
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Rectifier Diode, Avalanche, 1 Phase, 1 Element, 1.2A, 200V V(RRM), Silicon, HERMETIC SEALE |
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| JANTX1N6620US | SENSITRON |
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DESCRIPTION: 200 VOLT, AMP, 30 NS HERMETIC RECTIFIER IN A MELF-A PACKAGE. |
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| JANTX1N6620US/TR | MICROSEMI |
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Rectifier Diode, |
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| JANTX1N6621 | SENSITRON |
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Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1.2A, 400V V(RRM), Silicon, HERMETIC, 106, 2 PIN |
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| JANTX1N6621 | MICROSEMI |
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Rectifier Diode, Avalanche, 1 Phase, 1 Element, 1.2A, 400V V(RRM), Silicon, DO-41, HERMETI |
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| JANTX1N6621U | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1.2A, 400V V(RRM), Silicon, HERMETIC, MELF-A, 2 PIN |
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