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Datasheet > 二极管 > 整流二极管> JANTX1N6624US
JANTX1N6624US PDF预览

JANTX1N6624US

更新时间： 2024-12-02 17:33:11
品牌 Logo 应用领域
SENSITRON /
页数 文件大小 规格书
3页 53K
描述
DESCRIPTION: 900 VOLT, AMP, 50 NS HERMETIC RECTIFIER IN A MELF-A PACKAGE.

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JANTX1N6624US 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：Active包装说明：HERMETIC SEALED, GLASS, D-5A, 2 PIN
针数：2Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.80
风险等级：5.24其他特性：METALLURGICALLY BONDED
外壳连接：ISOLATED配置：SINGLE
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：1.6 VJESD-30 代码：O-LELF-R2
最大非重复峰值正向电流：20 A元件数量：1
端子数量：2最高工作温度：175 °C
最大输出电流：1 A封装主体材料：GLASS
封装形状：ROUND封装形式：LONG FORM
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED认证状态：Qualified
参考标准：MIL-19500/585最大重复峰值反向电压：900 V
最大反向恢复时间：0.06 µs子类别：Rectifier Diodes
表面贴装：YES技术：AVALANCHE
端子形式：WRAP AROUND端子位置：END
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIEDBase Number Matches：1

JANTX1N6624US 数据手册

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1N6620,U,US thru 1N6625,U,US  
SENSITRON  
SEMICONDUCTOR  
TECHNICAL DATA  
DATA SHEET 5089, REV. A  
SJ  
SX  
SV  
Ultrafast Recovery Rectifier  
• Hermetic, non-cavity glass package  
• Metallurgically bonded  
• Operating and Storage Temperature: -65oC to +175o  
MAX. RATINGS / ELECTRICAL CHARACTERISTICS All ratings are at TA = 25oC unless otherwise specified.  
Rating  
Symbol  
Condition  
Max  
Units  
WORKING PEAK REVERSE VOLTAGE  
1N6620, U, US  
200  
400  
600  
800  
900  
1000  
1N6621, U ,US  
1N6622, U, US  
1N6623, U, US  
1N6624 ,U, US  
VRWM  
Volts  
1N6625, U, US  
AVERAGE RECTIFIED FORWARD CURRENT  
1N6620, U, US thru 1N6622, U, US  
Io  
1.2  
1.0  
Amps  
A(pk)  
1N6623, U, US thru 1N6625, U, US  
PEAK FORWARD SURGE CURRENT  
1N6620, U, US thru 1N6624,U, US  
1N6625, U, US  
IFSM  
Tp=8.3ms  
20  
15  
MAXIMUM REVERSE CURRENT  
1N6620, U, US thru 1N6624,U, US  
1N6625, U, US  
MAXIMUM REVERSE CURRENT  
1N6620, U, US thru 1N6624,U, US  
1N6625, U, US  
IR @ VRWM  
IR @ VRWM  
Tj = 25 oC  
0.5  
1.0  
μAmps  
μAmps  
Tj = 150 oC  
150  
200  
MAX. PEAK FORWARD VOLTAGE (PULSED)  
1N6620, U, US thru 1N6622,U, US  
1N6623,U, US & 1N6624,U, US  
1N6625, U, US  
IF=2.0A  
IF=1.5μA  
IF=1.5μA  
1.60  
1.80  
1.95  
VFM  
Volts  
PEAK RECOVERY CURRENT  
1N6620, U, US thru 1N6622,U, US  
1N6623,U, US & 1N6624,U, US  
1N6625, U, US  
IF=2A,  
100A/μ  
3.5  
4.2  
5.0  
IRM  
A(pk)  
ns  
MAXIMUM REVERSE RECOVERY TIME  
1N6620, U, US thru 1N6622,U, US  
1N6623,U, US & 1N6624,U, US  
1N6625, U, US  
IF=0.5A  
RM =1.0A  
30  
50  
60  
Trr  
I
FORWARD RECOVERY VOLTAGE  
1N6620, U, US thru 1N6622,U, US  
1N6623,U, US & 1N6624,U, US  
1N6625, U, US  
IF=0.5A  
tr=12ns  
12  
18  
30  
VFRM  
Volts  
THERMAL RESISTANCE (Axial)  
1N6620 thru 1N6625  
L=.375  
L=0  
oC/W  
oC/W  
RθJL  
RθJC  
38  
20  
THERMAL RESISTANCE (MELF)  
1N6620U,US thru 1N6625U,US  
• 221 West Industry Court ꢀ Deer Park, NY 11729-4681 ꢀ Phone (631) 586 7600 Fax (631) 242 9798 •  
• World Wide Web Site - http://www.sensitron.com • E-Mail Addre1N - sales@sensitron.com •  
123

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与JANTX1N6624US相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
JANTX1N6625 MICROSEMI

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 		Rectifier Diode, Avalanche, 1 Element, 1A, 1000V V(RRM), Silicon, DO-41, HERMETIC SEALED,
JANTX1N6625 SENSITRON

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 		Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1.5A, 1000V V(RRM), Silicon, DO-41, HERMETIC SEALED,
JANTX1N6625U MICROSEMI

获取价格

 		Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1.5A, 1000V V(RRM), Silicon, HERMETIC SEALED, MELF-A,
JANTX1N6625U SENSITRON

获取价格

 		DESCRIPTION: 1000 VOLT, AMP, 60 NS HERMETIC RECTIFIER IN A MELF-A PACKAGE.
JANTX1N6625US SENSITRON

获取价格

 		Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1.5A, 1000V V(RRM), Silicon, HERMETIC SEALED, MELF-A,
JANTX1N6626 SENSITRON

获取价格

 		Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 2A, 200V V(RRM), Silicon, HERMETIC, 306, 2 PIN
JANTX1N6626 MICROSEMI

获取价格

 		ULTRA FAST RECTIFIERS
JANTX1N6626U MICROSEMI

获取价格

 		Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 2A, 200V V(RRM), Silicon, HERMETIC, MELF-B, 2 PIN
JANTX1N6626U SENSITRON

获取价格

 		DESCRIPTION: 200 VOLT, 4 AMP, 30 NS HERMETIC RECTIFIER IN A MELF-B PACKAGE.
JANTX1N6626US MICROSEMI

获取价格

 		ULTRA FAST RECTIFIERS

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