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JANSF2N7587U3

更新时间： 2023-12-06 19:52:28
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON /
页数 文件大小 规格书
9页 1067K
描述
Rad hard, 100V, 22A, single, N-channel MOSFET, R6 in a SMD-0.5 package - SMD-0.5, 300 krad(Si) TID, QPL

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JANSF2N7587U3 数据手册

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IRHNJ67130  
JANSR2N7587U3  
Pre-Irradiation  
Electrical Characteristics @ Tj = 25°C (Unless Otherwise Specified)  
Symbol  
BVDSS  
Parameter  
Drain-to-Source Breakdown Voltage  
Breakdown Voltage Temp. Coefficient  
Static Drain-to-Source On-  
Resistance  
Min. Typ. Max. Units  
Test Conditions  
VGS = 0V, ID = 1.0mA  
100 ––– –––  
––– 0.11 –––  
V
BVDSS/TJ  
RDS(on)  
Reference to 25°C, ID = 1.0mA  
V/°C  
VGS = 12V, ID2 = 19A   
––– ––– 0.042  
  
VGS(th)  
Gate Threshold Voltage  
2.0  
–––  
4.0  
V
VDS = VGS, ID = 1.0mA  
VGS(th)/TJ  
gfs  
IDSS  
Gate Threshold Voltage Coefficient  
Forward Transconductance  
––– -8.83 ––– mV/°C  
VDS = 15V, ID2 = 19A   
VDS = 80V, VGS = 0V  
VDS = 80V,VGS = 0V,TJ =125°C  
VGS = 20V  
VGS = -20V  
ID1 = 22A  
14  
––– –––  
S
––– –––  
––– –––  
––– ––– 100  
10  
25  
Zero Gate Voltage Drain Current  
µA  
IGSS  
Gate-to-Source Leakage Forward  
Gate-to-Source Leakage Reverse  
Total Gate Charge  
nA  
nC  
––– ––– -100  
QG  
QGS  
QGD  
td(on)  
tr  
––– –––  
––– –––  
––– –––  
––– –––  
––– –––  
––– –––  
––– –––  
50  
15  
20  
25  
30  
60  
30  
Gate-to-Source Charge  
Gate-to-Drain (‘Miller’) Charge  
Turn-On Delay Time  
Rise Time  
Turn-Off Delay Time  
Fall Time  
VDS = 50V  
VGS = 12V  
VDD = 50V  
ID1 = 22A  
ns  
td(off)  
tf  
RG = 7.5  
VGS = 12V  
Measured from center of Drain  
pad to center of Source pad  
Ls +LD  
Total Inductance  
–––  
4.0  
–––  
nH  
Ciss  
Coss  
Crss  
RG  
Input Capacitance  
VGS = 0V  
VDS = 25V  
ƒ = 1.0MHz  
––– 1730 –––  
––– 340 –––  
Output Capacitance  
Reverse Transfer Capacitance  
Gate Resistance  
pF  
–––  
6.0  
–––  
ƒ = 1.0MHz, open drain  
––– 1.03 –––  
  
Source-Drain Diode Ratings and Characteristics  
Symbol  
Parameter  
Min. Typ. Max. Units  
Test Conditions  
IS  
Continuous Source Current (Body Diode)  
Pulsed Source Current (Body Diode)   
Diode Forward Voltage  
––– ––– 22*  
A
ISM  
––– –––  
––– –––  
88  
VSD  
trr  
1.2  
V
TJ=25°C, IS = 22A, VGS=0V  
TJ=25°C, IF = 22A,VDD ≤ 25V  
di/dt = 100A/µs   
Reverse Recovery Time  
––– ––– 350  
––– ––– 3.0  
ns  
µC  
Qrr  
Reverse Recovery Charge  
Intrinsic turn-on time is negligible (turn-on is dominated by LS+LD)  
ton  
Forward Turn-On Time  
* Current is limited by package  
Thermal Resistance  
Symbol  
Parameter  
Min.  
Typ.  
Max.  
Units  
Junction-to-Case  
–––  
–––  
1.67  
RJC  
°C/W  
Footnotes:  
Repetitive Rating; Pulse width limited by maximum junction temperature.  
VDD = 25V, starting TJ = 25°C, L = 0.3mH, Peak IL = 22A, VGS = 12V  
ISD 22A, di/dt 420A/µs, VDD 100V, TJ 150°C  
Pulse width 300 µs; Duty Cycle 2%  
Total Dose Irradiation with VGS Bias. 12 volt VGS applied and VDS = 0 during irradiation per MIL-STD-750, Method 1019, condition A.  
Total Dose Irradiation with VDS Bias. 80 volt VDS applied and VGS = 0 during irradiation per MlL-STD-750, Method 1019, condition A.  
2
2019-12-10  
International Rectifier HiRel Products, Inc.  
1234567...9

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与JANSF2N7587U3相关器件

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JANSF2N7587U3C INFINEON Rad hard, 100V, 22A, single, N-channel MOSFET, R6 in a SMD-0.5 package - SMD-0.5, 300 krad

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