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JANS1N6116US

更新时间: 2024-09-14 13:08:59
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美高森美 - MICROSEMI 瞬态抑制器二极管局域网
页数 文件大小 规格书
2页 110K
描述
Trans Voltage Suppressor Diode, 500W, Bidirectional, 1 Element, Silicon,

JANS1N6116US 技术参数

是否Rohs认证:不符合生命周期:Active
包装说明:O-MELF-R2Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.10.00.50
风险等级:5.42Is Samacsys:N
最小击穿电压:25.7 V外壳连接:ISOLATED
配置:SINGLE二极管元件材料:SILICON
二极管类型:TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODEJESD-30 代码:O-MELF-R2
JESD-609代码:e0最大非重复峰值反向功率耗散:500 W
元件数量:1端子数量:2
封装主体材料:METAL封装形状:ROUND
封装形式:LONG FORM峰值回流温度(摄氏度):225
极性:BIDIRECTIONAL最大功率耗散:5 W
认证状态:Qualified表面贴装:YES
技术:AVALANCHE端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:WRAP AROUND端子位置:END
处于峰值回流温度下的最长时间:20Base Number Matches:1

JANS1N6116US 数据手册

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