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JAN1N6114A

更新时间: 2024-09-15 11:20:59
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美高森美 - MICROSEMI 瞬态抑制器二极管局域网
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2页 110K
描述
BIDIRECTIONAL TRANSIENT SUPPRESSORS

JAN1N6114A 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Active包装说明:O-XALF-W2
针数:2Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.10.00.50
风险等级:5.84Is Samacsys:N
最小击穿电压:20.9 V击穿电压标称值:22 V
外壳连接:ISOLATED最大钳位电压:30.5 V
配置:SINGLE二极管元件材料:SILICON
二极管类型:TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODEJESD-30 代码:O-XALF-W2
最大非重复峰值反向功率耗散:500 W元件数量:1
端子数量:2封装主体材料:UNSPECIFIED
封装形状:ROUND封装形式:LONG FORM
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED极性:BIDIRECTIONAL
最大功率耗散:3 W认证状态:Qualified
参考标准:MIL-19500/516最大重复峰值反向电压:17 V
子类别:Transient Suppressors表面贴装:NO
技术:AVALANCHE端子形式:WIRE
端子位置:AXIAL处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
Base Number Matches:1

JAN1N6114A 数据手册

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JAN1N6114A 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
1N6114A MICROSEMI

完全替代

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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