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JAN1N6113

更新时间: 2024-09-14 11:20:59
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美高森美 - MICROSEMI 瞬态抑制器二极管局域网
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2页 110K
描述
BIDIRECTIONAL TRANSIENT SUPPRESSORS

JAN1N6113 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Active包装说明:O-LALF-W2
Reach Compliance Code:not_compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.50风险等级:5.42
其他特性:HIGH RELIABILITY最小击穿电压:18 V
击穿电压标称值:20 V外壳连接:ISOLATED
最大钳位电压:29.1 V配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON二极管类型:TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JESD-30 代码:O-LALF-W2JESD-609代码:e0
最大非重复峰值反向功率耗散:500 W元件数量:1
端子数量:2封装主体材料:GLASS
封装形状:ROUND封装形式:LONG FORM
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED极性:BIDIRECTIONAL
最大功率耗散:2 W认证状态:Qualified
参考标准:MIL-19500/516最大重复峰值反向电压:15.2 V
子类别:Transient Suppressors表面贴装:NO
技术:AVALANCHE端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:WIRE端子位置:AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIEDBase Number Matches:1

JAN1N6113 数据手册

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JAN1N6113 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
JANTXV1N6113 MICROSEMI

完全替代

BIDIRECTIONAL TRANSIENT SUPPRESSORS
JANTX1N6113 MICROSEMI

完全替代

BIDIRECTIONAL TRANSIENT SUPPRESSORS
1N6113 MICROSEMI

完全替代

BIDIRECTIONAL TRANSIENT SUPPRESSORS

与JAN1N6113相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
JAN1N6113A SEMTECH

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JAN1N6113A MICROSEMI

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500 W Transient Voltage Suppressor
JAN1N6113AUS MICROSEMI

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Trans Voltage Suppressor Diode, 500W, 15.2V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon,
JAN1N6113AUS SENSITRON

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500 W Transient Voltage Suppressor SM
JAN1N6113US MICROSEMI

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Trans Voltage Suppressor Diode, 500W, 15.2V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon,
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BIDIRECTIONAL TRANSIENT SUPPRESSORS
JAN1N6114 SEMTECH

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Trans Voltage Suppressor Diode, 500W, 16.7V V(RWM), Bidirectional, 2 Element, Silicon, HER
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BIDIRECTIONAL TRANSIENT SUPPRESSORS
JAN1N6114A SEMTECH

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Trans Voltage Suppressor Diode, 500W, 16.7V V(RWM), Bidirectional, 2 Element, Silicon, HER