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JANTXV1N6113

更新时间: 2024-02-26 11:02:38
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美高森美 - MICROSEMI 瞬态抑制器二极管局域网
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2页 110K
描述
BIDIRECTIONAL TRANSIENT SUPPRESSORS

JANTXV1N6113 技术参数

生命周期:Active零件包装代码:MELF
包装说明:O-MELF-R2针数:2
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.50风险等级:5.7
最小击穿电压:19 V外壳连接:ISOLATED
配置:SINGLE二极管元件材料:SILICON
二极管类型:TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODEJESD-30 代码:O-MELF-R2
JESD-609代码:e0最大非重复峰值反向功率耗散:500 W
元件数量:1端子数量:2
封装主体材料:METAL封装形状:ROUND
封装形式:LONG FORM峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性:BIDIRECTIONAL最大功率耗散:5 W
认证状态:Qualified参考标准:MIL-19500/516
表面贴装:YES技术:AVALANCHE
端子面层:TIN LEAD端子形式:WRAP AROUND
端子位置:END处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
Base Number Matches:1

JANTXV1N6113 数据手册

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JANTXV1N6113 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
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完全替代

BIDIRECTIONAL TRANSIENT SUPPRESSORS
JAN1N6113 MICROSEMI

完全替代

BIDIRECTIONAL TRANSIENT SUPPRESSORS
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完全替代

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