5秒后页面跳转
JANTXV1N6113 PDF预览

JANTXV1N6113

更新时间: 2024-09-14 11:23:51
品牌 Logo 应用领域
美高森美 - MICROSEMI 瞬态抑制器二极管局域网
页数 文件大小 规格书
2页 110K
描述
BIDIRECTIONAL TRANSIENT SUPPRESSORS

JANTXV1N6113 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Active包装说明:O-LALF-W2
针数:2Reach Compliance Code:not_compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.10.00.50
风险等级:5.43Is Samacsys:N
其他特性:HIGH RELIABILITY最小击穿电压:18.95 V
外壳连接:ISOLATED配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON二极管类型:TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JESD-30 代码:O-LALF-W2JESD-609代码:e0
最大非重复峰值反向功率耗散:500 W元件数量:1
端子数量:2封装主体材料:GLASS
封装形状:ROUND封装形式:LONG FORM
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED极性:BIDIRECTIONAL
最大功率耗散:2 W认证状态:Qualified
参考标准:MIL-19500/516最大重复峰值反向电压:15.2 V
表面贴装:NO技术:AVALANCHE
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:WIRE
端子位置:AXIAL处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
Base Number Matches:1

JANTXV1N6113 数据手册

 浏览型号JANTXV1N6113的Datasheet PDF文件第2页 

JANTXV1N6113 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
JANTX1N6113 MICROSEMI

完全替代

BIDIRECTIONAL TRANSIENT SUPPRESSORS
JAN1N6113 MICROSEMI

完全替代

BIDIRECTIONAL TRANSIENT SUPPRESSORS
1N6113 MICROSEMI

完全替代

BIDIRECTIONAL TRANSIENT SUPPRESSORS

与JANTXV1N6113相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
JANTXV1N6113A MICROSEMI

获取价格

BIDIRECTIONAL TRANSIENT SUPPRESSORS
JANTXV1N6113A SEMTECH

获取价格

Trans Voltage Suppressor Diode, 500W, 15.2V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, HE
JANTXV1N6113A SENSITRON

获取价格

500 W Transient Voltage Suppressor
JANTXV1N6113AUS SEMTECH

获取价格

Trans Voltage Suppressor Diode, 500W, 15.2V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, HE
JANTXV1N6113AUS SENSITRON

获取价格

500 W Transient Voltage Suppressor SM
JANTXV1N6113US SEMTECH

获取价格

Trans Voltage Suppressor Diode, 500W, 15.2V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, HE
JANTXV1N6114 SEMTECH

获取价格

Trans Voltage Suppressor Diode, 500W, 16.7V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, HE
JANTXV1N6114 MICROSEMI

获取价格

BIDIRECTIONAL TRANSIENT SUPPRESSORS
JANTXV1N6114A MICROSEMI

获取价格

BIDIRECTIONAL TRANSIENT SUPPRESSORS
JANTXV1N6114A SEMTECH

获取价格

Trans Voltage Suppressor Diode, 500W, 16.7V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, HE