1N6113

更新时间： 2024-11-04 22:37:43

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美高森美 - MICROSEMI		瞬态抑制器二极管局域网
页数	文件大小	规格书
2页	109K
描述
BIDIRECTIONAL TRANSIENT SUPPRESSORS

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1N6113 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Active	包装说明：	O-LALF-W2
针数：	2	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.50
风险等级：	5.33	Is Samacsys：	N
其他特性：	HIGH RELIABILITY	最小击穿电压：	19 V
击穿电压标称值：	20 V	外壳连接：	ISOLATED
最大钳位电压：	29.1 V	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JESD-30 代码：	O-LALF-W2	JESD-609代码：	e0
最大非重复峰值反向功率耗散：	500 W	元件数量：	1
端子数量：	2	封装主体材料：	GLASS
封装形状：	ROUND	封装形式：	LONG FORM
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性：	BIDIRECTIONAL
最大功率耗散：	2 W	认证状态：	Not Qualified
最大重复峰值反向电压：	15.2 V	子类别：	Transient Suppressors
表面贴装：	NO	技术：	AVALANCHE
端子面层：	TIN LEAD	端子形式：	WIRE
端子位置：	AXIAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
Base Number Matches：	1

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型号	品牌	替代类型	描述	数据表
JANTXV1N6113	MICROSEMI	完全替代	BIDIRECTIONAL TRANSIENT SUPPRESSORS
JANTX1N6113	MICROSEMI	完全替代	BIDIRECTIONAL TRANSIENT SUPPRESSORS
JAN1N6113	MICROSEMI	完全替代	BIDIRECTIONAL TRANSIENT SUPPRESSORS

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
1N6113A	SEMTECH	获取价格	QPL 500 Watt Axial Leaded TVS
1N6113A	MICROSEMI	获取价格	BIDIRECTIONAL TRANSIENT SUPPRESSORS
1N6113A	SENSITRON	获取价格	TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSER DIODES
1N6113A	NJSEMI	获取价格	Diode TVS Single Bi-Dir 15.2V 500W 2-Pin
1N6113A	STMICROELECTRONICS	获取价格	600W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, GLASS, CB-431, 2 PIN
1N6113A	VMI	获取价格	Trans Voltage Suppressor Diode, 500W, 15.2V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, HER
1N6113AE3	MICROSEMI	获取价格	Trans Voltage Suppressor Diode, 500W, 15.2V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, ROH
1N6113ASBM	NJSEMI	获取价格	Diode TVS Single Bi-Dir 15.2V 500W 2-Pin SMD
1N6113AUS	MICROSEMI	获取价格	Trans Voltage Suppressor Diode, 500W, 15.2V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, HER
1N6113AUS	SEMTECH	获取价格	500W Bipolar Transient Voltage Suppressor Surface Mount (US)